エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2012/01/31)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2012/1/31
[資料番号]
目次

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[発表日]2012/1/31
[資料番号]
Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象(機能ナノデバイス及び関連技術)

品田 賢宏,  堀 匡寛,  / 小野 行徳,  熊谷 国憲,  谷井 孝至 /,  

[発表日]2012/1/31
[資料番号]ED2011-142,SDM2011-159
第一原理計算によるシリコンナノトランジスタ中の単一リン不純物の電子状態解析(機能ナノデバイス及び関連技術)

葛屋 陽平,  モラル ダニエル,  水野 武志,  田部 道晴,  水田 博,  

[発表日]2012/1/31
[資料番号]ED2011-143,SDM2011-160
個々のドーパントポテンシャルと電子帯電のKFM観測(機能ナノデバイス及び関連技術)

ノヴァック ローランド,  アンワル ミフタフル,  モラル ダニエル,  水野 武志,  ヤブロンスキー リシャード,  田部 道晴,  

[発表日]2012/1/31
[資料番号]ED2011-144,SDM2011-161
パターン依存酸化法を用いたSi単電子トランジスタの高周波特性(機能ナノデバイス及び関連技術)

竹中 浩人,  篠原 迪人,  内田 貴史,  有田 正志,  藤原 聡,  高橋 庸夫,  

[発表日]2012/1/31
[資料番号]ED2011-145,SDM2011-162
InAsナノワイヤMISFETの高周波特性評価(機能ナノデバイス及び関連技術)

渡邉 龍郎,  乙幡 温,  和保 孝夫,  / /,  

[発表日]2012/1/31
[資料番号]ED2011-146,SDM2011-163
共鳴トンネル素子を装荷したアクティブ伝送線路を用いた高次高調波発振器の可能性(機能ナノデバイス及び関連技術)

潘 杰,  早野 一起,  森 雅之,  前澤 宏一,  

[発表日]2012/1/31
[資料番号]ED2011-147,SDM2011-164
共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(機能ナノデバイス及び関連技術)

高塚 裕也,  高萩 和宏,  佐野 栄一,  / 尾辻 泰一,  

[発表日]2012/1/31
[資料番号]ED2011-148,SDM2011-165
シリコン量子井戸におけるトンネル電流注入発光(機能ナノデバイス及び関連技術)

登坂 仁一郎,  西口 克彦,  影島 博之,  藤原 聡,  

[発表日]2012/1/31
[資料番号]ED2011-149,SDM2011-166
SPMスクラッチ加工を用いた金属チャネル狭窄過程におけるコンダクタンスの量子化(機能ナノデバイス及び関連技術)

須田 隆太郎,  大山 隆宏,  白樫 淳一,  

[発表日]2012/1/31
[資料番号]ED2011-150,SDM2011-167
電界放射電流誘起型エレクトロマイグレーション法を用いた直列型ナノギャップの集積化と特性制御(機能ナノデバイス及び関連技術)

伊藤 光樹,  秋元 俊介,  白樫 淳一,  

[発表日]2012/1/31
[資料番号]ED2011-151,SDM2011-168
MgF_2/Feナノドット/MgF_2薄膜における電気伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)

石川 琢磨,  佐藤 栄太,  浜田 弘一,  有田 正志,  高橋 庸夫,  

[発表日]2012/1/31
[資料番号]ED2011-152,SDM2011-169
外部電圧によりフェルミエネルギー制御した極薄Siのゼーベック係数(機能ナノデバイス及び関連技術)

サレ ファイズ,  三輪 一聡,  池田 浩也,  

[発表日]2012/1/31
[資料番号]ED2011-153,SDM2011-170
急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴(機能ナノデバイス及び関連技術)

西口 克彦,  藤原 聡,  

[発表日]2012/1/31
[資料番号]ED2011-154,SDM2011-171
単層カーボンナノチューブネットワークにおける一次元伝導特性(機能ナノデバイス及び関連技術)

田中 朋,  森 健一郎,  佐野 栄一,  古月 文志 /,  

[発表日]2012/1/31
[資料番号]ED2011-155,SDM2011-172
CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響(機能ナノデバイス及び関連技術)

鈴木 耕佑,  大野 雄高,  岸本 茂,  水谷 孝,  

[発表日]2012/1/31
[資料番号]ED2011-156,SDM2011-173
SiN絶縁ゲートGaAsエッチングナノワイヤFETにおける低周波雑音特性の評価と解析(機能ナノデバイス及び関連技術)

村松 徹,  葛西 誠也,  谷田部 然治,  

[発表日]2012/1/31
[資料番号]ED2011-157,SDM2011-174
光照射局所コンダクタンス変調法を用いたGaAsナノワイヤ3分岐接合デバイスの非線形伝達特性評価と動作機構の検討(機能ナノデバイス及び関連技術)

佐藤 将来,  村松 徹,  葛西 誠也,  

[発表日]2012/1/31
[資料番号]ED2011-158,SDM2011-175
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[発表日]2012/1/31
[資料番号]
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