エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2011/11/03)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2011/11/3
[資料番号]
目次

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[発表日]2011/11/3
[資料番号]
電気回路シミュレータによるMEMSアクチュエータ・センサの等価回路モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

年吉 洋,  

[発表日]2011/11/3
[資料番号]SDM2011-115
SISPAD2011レビュー(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

林 洋一,  

[発表日]2011/11/3
[資料番号]SDM2011-116
3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

笹子 佳孝,  木下 勝治,  峯邑 浩行,  安齋 由美子,  田井 光春,  黒土 健三,  森田 精一,  高橋 俊和,  高濱 高,  森本 忠雄,  峰 利之,  島 明生,  小林 孝,  

[発表日]2011/11/3
[資料番号]SDM2011-117
デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

東 悠介,  百々 信幸,  百瀬 寿代,  大黒 達也,  松澤 一也,  

[発表日]2011/11/3
[資料番号]SDM2011-118
STMによるキャリア分布測定のデバイスシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

福田 浩一,  西澤 正泰,  多田 哲也,  / 鈴木 腕,  佐藤 成生,  有本 宏,  金山 敏彦,  

[発表日]2011/11/3
[資料番号]SDM2011-119
モンテカルロ法によるSiナノ構造中のフォノン輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

久木田 健太郎,  鎌倉 良成,  

[発表日]2011/11/3
[資料番号]SDM2011-120
第一原理バンド計算を援用したSiナノワイヤ及びInAsナノワイヤFETのバリスティック性能比較(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

滝口 直也,  木場 隼介,  土屋 英昭,  小川 真人,  

[発表日]2011/11/3
[資料番号]SDM2011-121
摂動法的な弾道・準弾道円筒形GAA-MOSFET解析簡易モデルにおける回路シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

程 賀,  宇野 重康,  沼田 達宏,  中里 和郎,  

[発表日]2011/11/3
[資料番号]SDM2011-122
非対称ホーン形状チャネルにおける電流密度の向上 : EMC-MDシミュレーションによる検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

神岡 武文,  今井 裕也,  大毛利 健治,  白石 賢二,  鎌倉 良成,  渡邉 孝信,  

[発表日]2011/11/3
[資料番号]SDM2011-123
車載用半導体開発におけるTCADシミュレーションの活用状況と今後の課題(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

石間伏 寿,  植田 賢志,  長尾 勝,  濱田 公守,  

[発表日]2011/11/3
[資料番号]SDM2011-124
BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

宮地 幸祐,  洪 慶麟,  竹内 健,  

[発表日]2011/11/3
[資料番号]SDM2011-125
MTJ素子を用いた完全並列形高密度不揮発TCAMの構成(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

勝俣 翠,  松永 翔雲,  羽生 貴弘,  

[発表日]2011/11/3
[資料番号]SDM2011-126
積層方式Chain構造PRAMの設計法(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

加藤 翔,  渡辺 重佳,  

[発表日]2011/11/3
[資料番号]SDM2011-127
極微細MOSFETにおけるチャネル長変調係数のゲート電圧依存性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

廣木 彰,  尹 鍾鐵,  

[発表日]2011/11/3
[資料番号]SDM2011-128
極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

尹 鍾鐵,  廣木 彰,  

[発表日]2011/11/3
[資料番号]SDM2011-129
CMOS負荷を持つ大規模RLC回路網の効率的な解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

丹治 裕一,  

[発表日]2011/11/3
[資料番号]SDM2011-130
SGTとFinFETを用いた論理回路のパターン面積の比較検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

小玉 貴大,  渡辺 重佳,  

[発表日]2011/11/3
[資料番号]SDM2011-131
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[発表日]2011/11/3
[資料番号]
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