エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2011/06/27)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2011/6/27
[資料番号]
目次

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[発表日]2011/6/27
[資料番号]
高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

川那子 高暢,  角嶋 邦之,  / 筒井 一生,  西山 彰,  杉井 信之,  名取 研二,  服部 健雄,  岩井 洋,  

[発表日]2011/6/27
[資料番号]SDM2011-50
SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

影島 博之,  日比野 浩樹,  山口 浩司,  永瀬 雅夫,  

[発表日]2011/6/27
[資料番号]SDM2011-51
Al_2O_3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

山田 泰之,  石黒 暁夫,  日野 史郎,  三浦 成久,  今泉 昌之,  炭谷 博昭,  徳光 永輔,  

[発表日]2011/6/27
[資料番号]SDM2011-52
コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_<0.53>Ga_<0.47>Asの界面解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

ザデ ダリューシュ,  細井 隆司,  アヘメト パルハット,  角嶋 邦之,  筒井 一生,  西山 彰,  杉井 信之,  名取 研二,  服部 健雄,  岩井 洋,  

[発表日]2011/6/27
[資料番号]SDM2011-53
Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

大野 真也,  井上 慧,  森本 真弘,  新江 定憲,  豊島 弘明,  吉越 章隆,  寺岡 有殿,  尾形 祥一,  安田 哲二,  田中 正俊,  

[発表日]2011/6/27
[資料番号]SDM2011-54
XPS時間依存測定法によるSiO_2/Si界面の電荷トラップ密度の面方位依存性の評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

石原 由梨,  渋谷 寧浩,  五十嵐 智,  小林 大輔,  野平 博司,  上野 和良,  廣瀬 和之,  

[発表日]2011/6/27
[資料番号]SDM2011-55
Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

櫻井 蓉子,  大毛利 健治,  山田 啓作,  角嶋 邦之,  岩井 洋,  白石 賢二,  野村 晋太郎,  

[発表日]2011/6/27
[資料番号]SDM2011-56
Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al_2O_3/Ge Gate Stack Structure

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[発表日]2011/6/27
[資料番号]SDM2011-57
Ge(100)表面の極薄TiO_xキャッピングによるHfO_2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

村上 秀樹,  藤岡 知宏,  大田 晃生,  三嶋 健斗,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2011/6/27
[資料番号]SDM2011-58
Al_2O_3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

柴山 茂矢,  加藤 公彦,  坂下 満男,  竹内 和歌奈,  中塚 理,  財満 鎭明,  

[発表日]2011/6/27
[資料番号]SDM2011-59
Pr酸化膜/Ge構造におけるPrの価数制御に基づく界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

加藤 公彦,  坂下 満男,  竹内 和歌奈,  中塚 理,  財満 鎭明,  

[発表日]2011/6/27
[資料番号]SDM2011-60
金属/GeO_2界面における化学結合状態の光電子分光分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

松井 真史,  藤岡 知宏,  大田 晃生,  村上 秀樹,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2011/6/27
[資料番号]SDM2011-61
金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調 : 第一原理計算による理論的検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

小日向 恭祐,  中山 隆史,  

[発表日]2011/6/27
[資料番号]SDM2011-62
ハフニウム酸化物への元素添加効果 : 第一原理計算による検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

中山 利紀,  川崎 裕,  丸泉 琢也,  

[発表日]2011/6/27
[資料番号]SDM2011-63
ITO/HfO_2MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がVfbシフトへ及ぼす影響(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

生田目 俊秀,  山田 博之,  大井 暁彦,  大石 知司,  知京 豊裕,  

[発表日]2011/6/27
[資料番号]SDM2011-64
高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO_2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

大嶽 祐輝,  有村 拓晃,  佐伯 雅之,  力石 薫介,  北野 尚武,  細井 卓治,  志村 考功,  渡部 平司,  

[発表日]2011/6/27
[資料番号]SDM2011-65
Evaluation of Electrical Property at SrTiO_3 Bicrystal Interface by EBIC

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[発表日]2011/6/27
[資料番号]SDM2011-66
RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

大田 晃生,  後藤 優太,  西垣 慎吾,  尉 国浜,  村上 秀樹,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2011/6/27
[資料番号]SDM2011-67
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