エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2010/11/04)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2010/11/4
[資料番号]
目次

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[発表日]2010/11/4
[資料番号]
2010 SISPADレビュー(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

鎌倉 良成,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]SDM2010-171
ばらつき・信頼性シミュレーション技術の最新動向 : ISPAD2010併設ワークショップ1のレビュー(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

鳥山 周一,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]SDM2010-172
磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

石垣 隆士,  河原 尊之,  竹村 理一郎,  小埜 和夫,  伊藤 顕知,  大野 英男,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]SDM2010-173
MOSFETにおけるランダムテレグラフシグナルの統計的評価方法(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

寺本 章伸,  阿部 健一,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]SDM2010-174
金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたhigh-k/metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

細井 卓治,  佐伯 雅之,  喜多 祐起,  奥 雄大,  有村 拓晃,  北野 尚武,  白石 賢二,  山田 啓作,  志村 考功,  渡部 平司,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]SDM2010-175
高速応答の低ドロップアウト(LDO)レギュレータに関する研究(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

,  範 公可,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]SDM2010-176
形状シミュレーションによるSiO_2及びSiエッチングのモデル化と、BiCSメモリホールエッチング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

市川 尚志,  一之瀬 大吾,  川端 研二,  玉置 直樹,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]SDM2010-177
自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

坪井 秀行,  稲葉 賢二,  伊勢 真理子,  林 由紀江,  鈴木 裕佳,  佐藤 裕美,  小原 幸子,  南雲 亮,  三浦 隆治,  鈴木 愛,  畠山 望,  遠藤 明,  高羽 洋充,  久保 百司,  宮本 明,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]SDM2010-178
VLSI設計自動化の現状と将来展望(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

高橋 篤司,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]SDM2010-179
インバータセルにおけるSingle-Event-Transientパルス発生のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

田中 克彦,  中村 英之,  上村 大樹,  竹内 幹,  福田 寿一,  熊代 成孝,  最上 徹,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]SDM2010-180
HV-MOSFETのオーバーラップ領域における2次元効果のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

田中 昭洋,  折附 泰典,  菊地原 秀行,  三宅 正尭,  / 三浦 道子,  /,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]SDM2010-181
SPICEモデルを用いた特性合わせ込みにおける誤差指標の提案(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

坂本 浩則,  飯塚 貴弘,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]SDM2010-182
シリコンナノワイヤにおけるホール電流のひずみ依存性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

三成 英樹,  北山 達郎,  山本 将央,  森 伸也,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]SDM2010-183
GAA-MOSFETの極限微細化指針の検討 : モデルによるサブ30nmチャネルデバイスの実現性に関する考察(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

仲野 駿佑,  大村 泰久,  

[発表日]2010/11/4
[資料番号]SDM2010-184
複写される方へ

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[発表日]2010/11/4
[資料番号]
奥付

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[発表日]2010/11/4
[資料番号]
裏表紙

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[発表日]2010/11/4
[資料番号]