エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2010/10/14)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2010/10/14
[資料番号]
目次

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[発表日]2010/10/14
[資料番号]
先端LSIにおけるチャネル歪評価(プロセス科学と新プロセス技術)

小椋 厚志,  小瀬村 大亮,  武井 宗久,  富田 基裕,  

[発表日]2010/10/14
[資料番号]SDM2010-152
液浸ラマン分光法による異方性2軸応力評価(プロセス科学と新プロセス技術)

小瀬村 大亮,  小椋 厚志,  

[発表日]2010/10/14
[資料番号]SDM2010-153
Yb混晶化PtSiの仕事関数変調機構(プロセス科学と新プロセス技術)

石川 純平,  高 峻,  大見 俊一郎,  

[発表日]2010/10/14
[資料番号]SDM2010-154
Hf混晶化によるPtSiの高精度仕事関数制御に関する検討(プロセス科学と新プロセス技術)

高 峻,  石川 純平,  大見 俊一郎,  

[発表日]2010/10/14
[資料番号]SDM2010-155
Effect of ultra-thin Yb layer on n-type characteristics of pentacene based MOS diodes

,  

[発表日]2010/10/14
[資料番号]SDM2010-156
ULSI用低抵抗コンタクトのための低バリアハイトメタルシリサイドの形成(プロセス科学と新プロセス技術)

田中 宏明,  黒田 理人,  中尾 幸久,  寺本 章伸,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2010/10/14
[資料番号]SDM2010-157
薄膜アモルファスシリコンの低温結晶化(プロセス科学と新プロセス技術)

岩鍜治 陽子,  広田 潤,  矢吹 宗,  石田 浩一,  金子 和香奈,  水島 一郎,  赤堀 浩史,  

[発表日]2010/10/14
[資料番号]SDM2010-158
ルミネッセンス計算化学による高分子発光材料/陰極界面の電子移動解析(プロセス科学と新プロセス技術)

山下 格,  大沼 宏彰,  南雲 亮,  三浦 隆治,  鈴木 愛,  坪井 秀行,  畠山 望,  遠藤 明,  高羽 洋充,  久保 百司,  宮本 明,  

[発表日]2010/10/14
[資料番号]SDM2010-159
材料情報学による母体結晶からのEu^<2+>付活蛍光体の発光特性予測(プロセス科学と新プロセス技術)

大沼 宏彰,  吉原 大貴,  山下 格,  南雲 亮,  三浦 隆治,  鈴木 愛,  坪井 秀行,  畠山 望,  遠藤 明,  高羽 洋充,  久保 百司,  宮本 明,  

[発表日]2010/10/14
[資料番号]SDM2010-160
計算化学によるSi/SiC量子ドット太陽電池におけるキャリアトラップの解析(プロセス科学と新プロセス技術)

広瀬 祥,  山下 格,  南雲 亮,  三浦 隆治,  鈴木 愛,  坪井 秀行,  畠山 望,  遠藤 明,  高羽 洋充,  久保 百司,  宮本 明,  

[発表日]2010/10/14
[資料番号]SDM2010-161
連続発振レーザー結晶化poly-Si TFTにおける内部歪と電子移動度の評価(プロセス科学と新プロセス技術)

藤井 俊太朗,  黒木 伸一郎,  小谷 光司,  

[発表日]2010/10/14
[資料番号]SDM2010-162
高性能LTPS-TFTのためのDouble-Line-Beam CLCによる高結晶配向Poly-Si薄膜形成(プロセス科学と新プロセス技術)

黒木 伸一郎,  川崎 雄也,  藤井 俊太朗,  小谷 光司,  伊藤 隆司,  

[発表日]2010/10/14
[資料番号]SDM2010-163
Effect of gate insulator on the electrical properties of pentacene based organic field-effect transistors

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[発表日]2010/10/14
[資料番号]SDM2010-164
次世代LSI向け低誘電率絶縁膜/Cuダマシン配線の形成(プロセス科学と新プロセス技術)

谷 クン,  根本 剛直,  富田 祐吾,  寺本 章伸,  黒木 伸一郎,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2010/10/14
[資料番号]SDM2010-165
ECRスパッタ法によるHfN/HfSiON積層構造のin-situ形成(プロセス科学と新プロセス技術)

佐野 貴洋,  大見 俊一郎,  

[発表日]2010/10/14
[資料番号]SDM2010-166
酸素ラジカルを用いて形成したSiO_2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性(プロセス科学と新プロセス技術)

諏訪 智之,  熊谷 勇喜,  寺本 章伸,  大見 忠弘,  服部 健雄,  木下 豊彦,  室 隆桂之,  

[発表日]2010/10/14
[資料番号]SDM2010-167
自動化超高速化量子分子動力学法の開発とシリコン酸化膜形成の反応解析への応用(プロセス科学と新プロセス技術)

坪井 秀行,  稲葉 賢二,  伊勢 真理子,  林 由紀江,  鈴木 裕佳,  佐藤 裕美,  小原 幸子,  南雲 亮,  三浦 隆治,  鈴木 愛,  畠山 望,  遠藤 明,  高羽 洋充,  久保 百司,  宮本 明,  

[発表日]2010/10/14
[資料番号]SDM2010-168
自動化超高速化量子分子動力学法によるシリコン表面のドライ・ウェットおよびラジカル酸化反応シミュレーション(プロセス科学と新プロセス技術)

坪井 秀行,  伊勢 真理子,  林 由紀江,  鈴木 裕佳,  佐藤 裕美,  小原 幸子,  稲葉 賢二,  南雲 亮,  三浦 隆治,  鈴木 愛,  畠山 望,  遠藤 明,  高羽 洋充,  久保 百司,  宮本 明,  

[発表日]2010/10/14
[資料番号]SDM2010-169
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