エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2010/01/29)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2010/1/29
[資料番号]
目次

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[発表日]2010/1/29
[資料番号]
三次元集積化技術の課題と展望(配線・実装技術と関連材料技術)

小柳 光正,  福島 誉史,  李 康旭,  田中 徹,  

[発表日]2010/1/29
[資料番号]SDM2009-182
耐水性分子細孔SiOCH膜中に形成された高信頼CoWBメタル被覆Cu配線(配線・実装技術と関連材料技術)

林 喜宏,  田上 政由,  古武 直也,  井上 尚也,  中沢 絵美子,  有田 幸司,  

[発表日]2010/1/29
[資料番号]SDM2009-183
EUVリソグラフィーを用いた70nmピッチCu/ポーラス低誘電率膜デュアルダマシンインテグレーションの基礎検討(配線・実装技術と関連材料技術)

中村 直文,  小田 典明,  曽田 栄一,  細井 信基,  側瀬 聡文,  青山 肇,  田中 雄介,  河村 大輔,  隣 真一,  塩原 守雄,  垂水 喜明,  近藤 誠一,  森 一朗,  斎藤 修一,  

[発表日]2010/1/29
[資料番号]SDM2009-184
Porous Low-k膜対応Direct-CMPプロセス開発(配線・実装技術と関連材料技術)

興梠 隼人,  千葉原 宏幸,  鈴木 繁,  筒江 誠,  瀬尾 光平,  岡 好浩,  後藤 欣哉,  赤澤 守昭,  宮武 浩,  松本 晋,  上田 哲也,  

[発表日]2010/1/29
[資料番号]SDM2009-185
CuAl合金配線を適用した32nmノード対応高信頼性配線技術の開発(配線・実装技術と関連材料技術)

井口 学,  横川 慎二,  相澤 宏一,  角原 由美,  土屋 秀昭,  岡田 紀雄,  今井 清隆,  戸原 誠人,  藤井 邦宏,  渡部 忠兆,  

[発表日]2010/1/29
[資料番号]SDM2009-186
低抵抗・高信頼Cu配線のためのシリサイドキャップ技術(配線・実装技術と関連材料技術)

林 裕美,  松永 範昭,  和田 真,  中尾 慎一,  坂田 敦子,  渡邉 桂,  柴田 英毅,  

[発表日]2010/1/29
[資料番号]SDM2009-187
Ti合金による自己形成バリアを用いたデュアルダマシンCu配線の特性(配線・実装技術と関連材料技術)

大森 和幸,  森 健壹,  前川 和義,  小濱 和之,  伊藤 和博,  大西 隆,  水野 雅夫,  浅井 孝祐,  村上 正紀,  宮武 浩,  

[発表日]2010/1/29
[資料番号]SDM2009-188
次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術(配線・実装技術と関連材料技術)

山道 新太郎,  森 健太郎,  菊池 克,  村井 秀哉,  大島 大輔,  中島 嘉樹,  副島 康志,  川野 連也,  村上 朝夫,  

[発表日]2010/1/29
[資料番号]SDM2009-189
低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)

上殿 明良,  井上 尚也,  林 喜宏,  江口 和弘,  中村 友二,  廣瀬 幸範,  吉丸 正樹,  大島 永康,  大平 俊行,  鈴木 良一,  

[発表日]2010/1/29
[資料番号]SDM2009-190
多孔質低誘電率膜CMP時の誘電率評価(配線・実装技術と関連材料技術)

小寺 雅子,  高橋 琢視,  南幅 学,  

[発表日]2010/1/29
[資料番号]SDM2009-191
Cu/low-k配線パターンのラインエッジラフネス評価(配線・実装技術と関連材料技術)

山口 敦子,  龍崎 大介,  武田 健一,  川田 洋揮,  

[発表日]2010/1/29
[資料番号]SDM2009-192
複写される方へ

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[発表日]2010/1/29
[資料番号]
奥付

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[発表日]2010/1/29
[資料番号]
裏表紙

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[発表日]2010/1/29
[資料番号]