エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2010/01/22)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]2010/1/22
[資料番号]
目次

,  

[発表日]2010/1/22
[資料番号]
Correlation between Low-Field Mobility and High-Field Carrier Velocity in Quasi-Ballistic-Transport MISFETs scaled down to L_g=30 nm

,  

[発表日]2010/1/22
[資料番号]SDM2009-171
強磁場印加による(110)pMOSFETサブバンド構造の直接的観測(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

高橋 綱己,  山端 元音,  小木 純,  小寺 哲夫,  小田 俊理,  内田 建,  

[発表日]2010/1/22
[資料番号]SDM2009-172
第一原理計算に基づいた包括的移動度モデリングとMOSFET界面エンジニアリングへの適用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

石原 貴光,  松下 大介,  加藤 弘一,  

[発表日]2010/1/22
[資料番号]SDM2009-173
GeO_2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上 : Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

李 忠賢,  西村 知紀,  長汐 晃輔,  喜多 浩之,  鳥海 明,  

[発表日]2010/1/22
[資料番号]SDM2009-174
セルフアセンブリを基盤としたウェーハレベル三次元集積化技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

福島 誉史,  李 康旭,  田中 徹,  小柳 光正,  

[発表日]2010/1/22
[資料番号]SDM2009-175
三次元光・電子融合集積化技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

李 康旭,  乗木 暁博,  清山 浩司,  福島 誉史,  田中 徹,  小柳 光正,  

[発表日]2010/1/22
[資料番号]SDM2009-176
ランダムテレグラフノイズの包括的理解に向けた新解析手法の提案とその応用(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

南雲 俊治,  竹内 潔,  横川 慎二,  今井 清隆,  林 喜宏,  

[発表日]2010/1/22
[資料番号]SDM2009-177
走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

張 利,  齋藤 真澄,  木下 敦寛,  安武 信昭,  外園 明,  青木 伸俊,  楠 直樹,  水島 一郎,  小池 三夫,  竹野 史郎,  古賀 淳二,  

[発表日]2010/1/22
[資料番号]SDM2009-178
レイアウト依存性を考慮したコンパクトモデルの開発(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

相川 恒,  佐貫 朋也,  坂田 明雄,  森藤 英治,  吉村 尚郎,  浅見 哲也,  大谷 寛,  親松 尚人,  

[発表日]2010/1/22
[資料番号]SDM2009-179
0.5V動作,しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

田中丸 周平,  畑中 輝義,  矢島 亮児,  高橋 光恵,  酒井 滋樹,  竹内 健,  

[発表日]2010/1/22
[資料番号]SDM2009-180
グラフェン/金属コンタクトの重要性 : 移動度とコンタクト抵抗の解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

長汐 晃輔,  西村 知紀,  喜多 浩之,  鳥海 明,  

[発表日]2010/1/22
[資料番号]SDM2009-181
複写される方へ

,  

[発表日]2010/1/22
[資料番号]
奥付

,  

[発表日]2010/1/22
[資料番号]