エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2009/11/27)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2009/11/27
[資料番号]
目次

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[発表日]2009/11/27
[資料番号]
マイクロ波焼成によるZnS系無機EL蛍光体の発光特性の改善(シリコン関連材料の作製と評価)

小林 祐輔,  田口 信義,  須崎 昌己,  堀田 昌宏,  浦岡 行治,  

[発表日]2009/11/27
[資料番号]SDM2009-151
4H-SiC MOS界面へのリンの導入による界面準位密度の低減(シリコン関連材料の作製と評価)

岡本 大,  矢野 裕司,  平田 憲司,  畑山 智亮,  冬木 隆,  

[発表日]2009/11/27
[資料番号]SDM2009-152
電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化(シリコン関連材料の作製と評価)

野尻 琢慎,  柳澤 英樹,  明神 善子,  松浦 秀治,  大島 武,  

[発表日]2009/11/27
[資料番号]SDM2009-153
200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 : ドープ量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)

柳澤 英樹,  西野 公三,  野尻 琢慎,  松浦 秀治,  大島 武,  

[発表日]2009/11/27
[資料番号]SDM2009-154
電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について(シリコン関連材料の作製と評価)

西野 公三,  柳澤 英樹,  野尻 琢慎,  松浦 秀治,  大島 武,  

[発表日]2009/11/27
[資料番号]SDM2009-155
薄膜トランジスタをもちいたポテンシオスタットによる電気化学測定(シリコン関連材料の作製と評価)

分銅 衡介,  飯室 恵紀,  瀬津 光司,  佐川 祐樹,  木村 睦,  

[発表日]2009/11/27
[資料番号]SDM2009-156
Poly-Si TFTにおけるゲート酸化膜へのホットホール注入と捕獲/放出特性の評価(シリコン関連材料の作製と評価)

鎌倉 良成,  日昔 崇,  辻 博史,  谷口 研二,  

[発表日]2009/11/27
[資料番号]SDM2009-157
エタノールクラスターイオンビームを用いたシリコン基板の微細加工(シリコン関連材料の作製と評価)

向井 寛,  龍頭 啓充,  竹内 光明,  高岡 義寛,  

[発表日]2009/11/27
[資料番号]SDM2009-158
High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性(シリコン関連材料の作製と評価)

西田 征男,  永久 克己,  清水 昭博,  山下 朋弘,  尾田 秀一,  井上 靖朗,  芝原 健太郎,  

[発表日]2009/11/27
[資料番号]SDM2009-159
X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化 : シミュレーションによる評価(シリコン関連材料の作製と評価)

北野谷 征吾,  三宅 貴之,  谷口 征大,  松浦 秀治,  

[発表日]2009/11/27
[資料番号]SDM2009-160
三次元基板のグリーンレーザー結晶化によるLTPS TFTフラッシュメモリの特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)

市川 和典,  松江 将博,  赤松 浩,  浦岡 行治,  

[発表日]2009/11/27
[資料番号]SDM2009-161
薄膜デバイスの人工網膜への応用検討(シリコン関連材料の作製と評価)

三浦 佑太,  小倉 健,  大野 史郎,  八田 智久,  西崎 仁貴,  山下 毅彦,  島 武弘,  木村 睦,  

[発表日]2009/11/27
[資料番号]SDM2009-162
ガラス上に形成された大粒径を有する多結晶シリコン薄膜におけるゲッタリング現象(シリコン関連材料の作製と評価)

原 明人,  佐藤 功,  

[発表日]2009/11/27
[資料番号]SDM2009-163
Poly-Si TFTによるデバイスレベルのニューラルネットワーク(シリコン関連材料の作製と評価)

三島 大樹,  谷口 仁,  笠川 知洋,  田畑 裕貴,  小野寺 亮,  小嶋 明樹,  木村 睦,  

[発表日]2009/11/27
[資料番号]SDM2009-164
レーザプラズマ軟X線照射により形成された擬似結晶核を介したa-Si膜の結晶化(シリコン関連材料の作製と評価)

礒田 伸哉,  松尾 直人,  天野 壮,  部家 彰,  宮本 修治,  望月 孝晏,  

[発表日]2009/11/27
[資料番号]SDM2009-165
熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO_2膜及びSiO_2/Si界面の形成(シリコン関連材料の作製と評価)

広重 康夫,  東 清一郎,  宮崎 祐介,  松本 和也,  宮崎 誠一,  

[発表日]2009/11/27
[資料番号]SDM2009-166
強誘電体インクの安定性改善(シリコン関連材料の作製と評価)

大場 友裕,  前田 慎弥,  山口 正樹,  

[発表日]2009/11/27
[資料番号]SDM2009-167
抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜における電気的特性の組成依存性(シリコン関連材料の作製と評価)

岩田 達哉,  西 佑介,  木本 恒暢,  

[発表日]2009/11/27
[資料番号]SDM2009-168
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