エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2009/06/12)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2009/6/12
[資料番号]
目次

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[発表日]2009/6/12
[資料番号]
Geの材料物性-Siとの比較(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

伊藤 公平,  

[発表日]2009/6/12
[資料番号]SDM2009-26
分子動力学法によるGeO_2/Ge界面のモデリング : SiO_2/Si界面との違い(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

渡邉 孝信,  恩田 知弥,  登坂 亮,  山本 英明,  

[発表日]2009/6/12
[資料番号]SDM2009-27
Si酸化における界面反応の第一原理計算(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

秋山 亨,  影島 博之,  植松 真司,  伊藤 智徳,  

[発表日]2009/6/12
[資料番号]SDM2009-28
GeO_2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

渡部 平司,  齊藤 真里奈,  齊藤 正一朗,  岡本 学,  朽木 克博,  細井 卓治,  小野 倫也,  志村 考功,  

[発表日]2009/6/12
[資料番号]SDM2009-29
Ge MIS界面欠陥の電気的性質(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

田岡 紀之,  水林 亘,  森田 行則,  右田 真司,  太田 裕之,  高木 信一,  

[発表日]2009/6/12
[資料番号]SDM2009-30
Ge MOSデバイスの熱安定性 : Ge oxygen[GeO(g)]脱ガスにおけるGe monoxide[GeO(II)]の役割(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

鎌田 善己,  高島 章,  手塚 勉,  

[発表日]2009/6/12
[資料番号]SDM2009-31
金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

西村 知紀,  長汐 晃輔,  喜多 浩之,  鳥海 明,  

[発表日]2009/6/12
[資料番号]SDM2009-32
ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

加藤 公彦,  近藤 博基,  坂下 満男,  財満 鎭明,  

[発表日]2009/6/12
[資料番号]SDM2009-33
HfO_2/Ge MIS構造のF_2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

今庄 秀人,  /,  吉岡 祐一,  金島 岳,  奥山 雅則,  

[発表日]2009/6/12
[資料番号]SDM2009-34
界面層にHfGeNおよびGeO_2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価 : Ge基板への絶縁膜形成(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

中島 寛,  平山 佳奈,  楊 海貴,  王 冬,  

[発表日]2009/6/12
[資料番号]SDM2009-35
熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO_2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

村上 秀樹,  小埜 芳和,  大田 晃生,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2009/6/12
[資料番号]SDM2009-36
LaAlO/Ge構造へのALD-Al_2O_3界面制御層挿入の効果(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

坂下 満男,  加藤 亮祐,  京極 真也,  近藤 博基,  財満 鎭明,  

[発表日]2009/6/12
[資料番号]SDM2009-37
低しきい値pMISFETに向けたAl_2O_3を堆積させたHfO_2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

諸岡 哲,  松木 武雄,  三瀬 信行,  神山 聡,  生田目 俊秀,  栄森 貴尚,  奈良 安雄,  由上 二郎,  池田 和人,  大路 譲,  

[発表日]2009/6/12
[資料番号]SDM2009-38
LaまたはAl添加によるHfSiON/SiO_2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

辰村 光介,  石原 貴光,  犬宮 誠治,  中嶋 一明,  金子 明生,  後藤 正和,  川中 繁,  木下 敦寛,  

[発表日]2009/6/12
[資料番号]SDM2009-39
High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

小原 孝介,  山下 一郎,  八重樫 利武,  茂庭 昌弘,  吉丸 正樹,  浦岡 行治,  

[発表日]2009/6/12
[資料番号]SDM2009-40
Pr(EtCp)_3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

近藤 博基,  古田 和也,  松井 裕高,  坂下 満男,  財満 鎭明,  

[発表日]2009/6/12
[資料番号]SDM2009-41
極薄LaO_xからHfO_2/SiO_2層へのLa原子の拡散(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

大田 晃生,  貫目 大介,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2009/6/12
[資料番号]SDM2009-42
ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

五月女 真一,  中山 隆史,  

[発表日]2009/6/12
[資料番号]SDM2009-43
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