エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2009/01/19)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2009/1/19
[資料番号]
目次

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[発表日]2009/1/19
[資料番号]
金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

大毛利 健治,  松木 武雄,  石川 大,  諸岡 哲,  網中 敏夫,  杉田 義博,  知京 豊裕,  白石 賢二,  奈良 安雄,  山田 啓作,  

[発表日]2009/1/19
[資料番号]SDM2008-196
High-k/SiO_2界面に形成されるダイポールの起源(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

喜多 浩之,  鳥海 明,  

[発表日]2009/1/19
[資料番号]SDM2008-197
Si(110)面正孔移動度における方向依存性の起源 : 極薄SOIを用いた実験的考察(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

清水 健,  更屋 拓哉,  平本 俊郎,  

[発表日]2009/1/19
[資料番号]SDM2008-198
CuInGaSe_2薄膜を用いた高感度・広帯域イメージセンサ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

松島 理,  宮崎 憲一,  高岡 将樹,  前川 拓滋,  白神 弘章,  関口 大志,  淵上 貴昭,  守分 政人,  高須 秀視,  石塚 尚吾,  櫻井 啓一郎,  山田 昭政,  仁木 栄,  

[発表日]2009/1/19
[資料番号]SDM2008-199
Floating Gate Super Multi Level NAND Flash Memory for 30nm and beyond

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[発表日]2009/1/19
[資料番号]SDM2008-200
三次元フィンデバイスへのコンフォーマルドーピングとプレーナデバイス製造のために精密制御された極浅注入のためのB_2H_6/Heセルフレギュレーションプラズマドーピング技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

佐々木 雄一朗,  岡下 勝巳,  中本 圭一,  北岡 太郎,  水野 文二,  小倉 基次,  

[発表日]2009/1/19
[資料番号]SDM2008-201
40nm low standby power CMOS技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

渡辺 竜太,  大石 周,  佐貫 朋也,  君島 秀樹,  岡本 和之,  藤田 悟,  福井 大伸,  吉田 健司,  大谷 寛,  森藤 英治,  小島 健嗣,  猪原 正弘,  五十嵐 弘文,  本多 健二,  吉村 尚郎,  中山 武雄,  三宅 慎一,  平井 友洋,  岩本 敏幸,  中原 寧,  木下 功一,  森本 寿喜,  小林 幸子,  姜 帥現,  池田 昌弘,  今井 清隆,  岩井 正明,  中村 典生,  松岡 史倫,  

[発表日]2009/1/19
[資料番号]SDM2008-202
コンパクトモデルを用いた金属ゲートFinFETのばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

大内 真一,  松川 貴,  中川 格,  遠藤 和彦,  柳 永〓,  関川 敏弘,  塚田 順一,  石川 由紀,  山内 洋美,  小池 汎平,  坂本 邦博,  昌原 明植,  /,  

[発表日]2009/1/19
[資料番号]SDM2008-203
低不純物濃度チャネルで統計ゆらぎの小さい薄膜BOX-SOI(SOTB)のV_ばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

杉井 信之,  土屋 龍太,  石垣 隆士,  森田 祐介,  吉元 広行,  鳥居 和功,  木村 紳一郎,  

[発表日]2009/1/19
[資料番号]SDM2008-204
飽和V_ばらつきの解析とそのSRAMへの影響評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

南雲 俊治,  宮村 信,  竹内 潔,  武田 晃一,  羽根 正巳,  

[発表日]2009/1/19
[資料番号]SDM2008-205
複写される方へ

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[発表日]2009/1/19
[資料番号]
Notice for Photocopying

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[発表日]2009/1/19
[資料番号]
奥付

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[発表日]2009/1/19
[資料番号]