エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2008/11/28)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2008/11/28
[資料番号]
目次

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[発表日]2008/11/28
[資料番号]
抵抗変化型不揮発性メモリ用NiO薄膜の構造および電気特性へのアニール効果(シリコン関連材料の作製と評価)

西 佑介,  木本 恒暢,  

[発表日]2008/11/28
[資料番号]SDM2008-184
X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線の感度向上を目指した研究(シリコン関連材料の作製と評価)

松浦 秀治,  高橋 美雪,  小原 一徳,  山本 和代,  前田 健寿,  加川 義隆,  

[発表日]2008/11/28
[資料番号]SDM2008-185
エタノールクラスターイオンビームによるシリコン表面の低損傷・高効率スパッタリング(シリコン関連材料の作製と評価)

龍頭 啓充,  尾崎 良介,  高岡 義寛,  

[発表日]2008/11/28
[資料番号]SDM2008-186
アンジュレータ光源を使用した軟X線励起によるa-Si膜中のSi原子移動(シリコン関連材料の作製と評価)

高梨 泰幸,  部家 彰,  松尾 直人,  神田 一浩,  

[発表日]2008/11/28
[資料番号]SDM2008-187
金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構(シリコン関連材料の作製と評価)

渡部 平司,  喜多 祐起,  細井 卓治,  志村 考功,  白石 賢二,  奈良 安雄,  山田 啓作,  

[発表日]2008/11/28
[資料番号]SDM2008-188
バイオナノドットを用いた極薄トンネル酸化膜デバイスの電気特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)

入船 裕行,  矢野 裕司,  浦岡 行治,  冬木 隆,  山下 一郎,  

[発表日]2008/11/28
[資料番号]SDM2008-189
NO直接酸化法により作製したC面上4H-SiC MOSデバイスの特性(シリコン関連材料の作製と評価)

大城 ゆき,  岡本 大,  矢野 裕司,  畑山 智亮,  浦岡 行治,  冬木 隆,  

[発表日]2008/11/28
[資料番号]SDM2008-190
立体ゲート構造を用いたSiC MOSFETの特性向上(シリコン関連材料の作製と評価)

南園 悠一郎,  吉岡 裕典,  登尾 正人,  須田 淳,  木本 恒暢,  

[発表日]2008/11/28
[資料番号]SDM2008-191
アルコール系原料を用いた強誘電体膜の電気的特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)

山口 正樹,  大場 友弘,  増田 陽一郎,  

[発表日]2008/11/28
[資料番号]SDM2008-192
紫外線プラズマ照射によるSiO_2/Si界面及びSi中の電気特性変化(シリコン関連材料の作製と評価)

滝内 芽,  鮫島 俊之,  

[発表日]2008/11/28
[資料番号]SDM2008-193
極浅接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス(シリコン関連材料の作製と評価)

長田 光生,  芝原 健太郎,  

[発表日]2008/11/28
[資料番号]SDM2008-194
F_2表面処理したHfO_2/Ge MIS構造の電気的特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)

今庄 秀人,  / 吉岡 祐一,  金島 岳,  奥山 雅則,  

[発表日]2008/11/28
[資料番号]SDM2008-195
複写される方へ

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[発表日]2008/11/28
[資料番号]
Notice for Photocopying

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[発表日]2008/11/28
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奥付

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[発表日]2008/11/28
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