エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2008/11/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2008/11/6
[資料番号]
目次

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[発表日]2008/11/6
[資料番号]
先端システムLSIにおけるアナログ回路設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

道正 志郎,  崎山 史朗,  森江 隆史,  松川 和生,  

[発表日]2008/11/6
[資料番号]SDM2008-169
ミリ波CMOS回路設計とデバイスモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

藤島 実,  

[発表日]2008/11/6
[資料番号]SDM2008-170
13.75ns高速ホログラム光再構成(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

中島 真央,  渡邊 実,  

[発表日]2008/11/6
[資料番号]SDM2008-171
大規模光再構成型ゲートアレイにおけるホログラムメモリの不良耐性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

瀬戸 大作,  渡邊 実,  

[発表日]2008/11/6
[資料番号]SDM2008-172
次世代半導体デバイス3次元シミュレータの開発(1) : 強安定収束シミュレータの開発(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

桜井 清吾,  朱 日明,  佐藤 昌宏,  山口 憲,  

[発表日]2008/11/6
[資料番号]SDM2008-173
次世代半導体デバイス3次元シミュレータの開発(2) : 立体構造の容易生成と高品質メッシュシステム(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

朱 日明,  佐藤 昌宏,  桜井 清吾,  山口 憲,  

[発表日]2008/11/6
[資料番号]SDM2008-174
時間依存デバイスシミュレーションのための量子ドリフト-拡散モデルの離散化手法(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

島田 知子,  小田中 紳二,  

[発表日]2008/11/6
[資料番号]SDM2008-175
ナノスケールSOI MOSFETの閾値電圧シフトに対するバンド非放物線性の影響に関するモデルの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

京兼 大輔,  大村 泰久,  

[発表日]2008/11/6
[資料番号]SDM2008-176
LDMOSのデバイスモデリングと回路設計 : 回路設計に必要なデバイスモデリングとは(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

渡辺 博文,  根来 宝昭,  

[発表日]2008/11/6
[資料番号]SDM2008-177
ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

新居 浩二,  薮内 誠,  塚本 康正,  大林 茂樹,  篠原 尋史,  

[発表日]2008/11/6
[資料番号]SDM2008-178
ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

鎌倉 良成,  ミリニコフ ゲナディ,  森 伸也,  江崎 達也,  

[発表日]2008/11/6
[資料番号]SDM2008-179
極微細MOSFETにおけるゲートトンネル電流の3次元NEGFシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

三成 英樹,  西谷 大祐,  森 伸也,  

[発表日]2008/11/6
[資料番号]SDM2008-180
フラックス方程式に基づいたシリコンの高電界輸送の解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

両角 直人,  名取 研二,  

[発表日]2008/11/6
[資料番号]SDM2008-181
シリコンナノワイヤトランジスタの三次元量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

山田 吉宏,  土屋 英昭,  小川 真人,  

[発表日]2008/11/6
[資料番号]SDM2008-182
第一原理計算によるひずみシリコンナノ構造チャネルの電子状態解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

前川 忠史,  山内 恒毅,  原 孟史,  土屋 英昭,  小川 真人,  

[発表日]2008/11/6
[資料番号]SDM2008-183
複写される方へ

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[発表日]2008/11/6
[資料番号]
Notice for Photocopying

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[発表日]2008/11/6
[資料番号]
奥付

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[発表日]2008/11/6
[資料番号]