エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2008/10/02)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2008/10/2
[資料番号]
目次

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[発表日]2008/10/2
[資料番号]
ノンポーラスULK層間膜(フロロカーボン)へのダメージを抑制したCu-CMP後洗浄液の評価(プロセス科学と新プロセス技術)

谷 クン,  根本 剛直,  寺本 章伸,  伊藤 隆司,  大見 忠弘,  

[発表日]2008/10/2
[資料番号]SDM2008-149
高精度CMP終点検出方法の検討(プロセス科学と新プロセス技術)

谷 クン,  根本 剛直,  /,  /,  寺本 章伸,  伊藤 隆司,  大見 忠弘,  

[発表日]2008/10/2
[資料番号]SDM2008-150
エタノール添加スラリーを用いたCMPによるCWレーザ結晶化Si薄膜の平坦化(プロセス科学と新プロセス技術)

沼田 雅之,  黒木 伸一郎,  藤井 俊太朗,  小谷 光司,  伊藤 隆司,  

[発表日]2008/10/2
[資料番号]SDM2008-151
マルチスケール配線寿命予測シミュレータの開発とCu配線への応用(プロセス科学と新プロセス技術)

坪井 秀行,  鈴木 愛,  サヌーン リアド,  古山 通久,  畠山 望,  遠藤 明,  高羽 洋充,  デルカルピオ カルロス,  久保 百司,  宮本 明,  

[発表日]2008/10/2
[資料番号]SDM2008-152
計算化学手法によるダイヤモンドライクカーボン(DLC)の摩擦特性・微細構造の検討(プロセス科学と新プロセス技術)

栗秋 貴謹,  森田 祐輔,  小野寺 拓,  鈴木 愛,  / 古山 通久,  坪井 秀行,  畠山 望,  遠藤 明,  高羽 洋充,  / 久保 百司,  宮本 明,  

[発表日]2008/10/2
[資料番号]SDM2008-153
Tight-Binding Quantum Chemistry Study on Excitation Properties of Perylene with Acrylic Acid on Anatase (001) Surface

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[発表日]2008/10/2
[資料番号]SDM2008-154
計算化学によるプラズマディスプレイ用電極保護膜材料の二次電子放出特性評価(プロセス科学と新プロセス技術)

芹澤 和実,  山下 格,  大沼 宏彰,  菊地 宏美,  北垣 昌規,  鈴木 愛,  / 古山 通久,  坪井 秀行,  畠山 望,  遠藤 明,  高羽 洋充,  / 久保 百司,  梶山 博司,  宮本 明,  

[発表日]2008/10/2
[資料番号]SDM2008-155
超高速化量子分子動力学法に基づく構造解析・分光シミュレータの開発とシリコン半導体への応用(プロセス科学と新プロセス技術)

遠藤 明,  山下 格,  芹澤 和実,  大沼 宏彰,  小野寺 拓,  古山 通久,  坪井 秀行,  畠山 望,  高羽 洋充,  / 久保 百司,  宮本 明,  

[発表日]2008/10/2
[資料番号]SDM2008-156
三次元多孔質構造に基づく色素増感TiO_2電極の電子移動シミュレーション(プロセス科学と新プロセス技術)

扇谷 恵,  呂 晨,  鈴木 愛,  / 古山 通久,  坪井 秀行,  畠山 望,  遠藤 明,  高羽 洋充,  / 久保 百司,  宮本 明,  

[発表日]2008/10/2
[資料番号]SDM2008-157
発光材料の構造とキャリア移動特性に関する計算化学的解析(プロセス科学と新プロセス技術)

山下 格,  大沼 宏彰,  芹澤 和実,  鈴木 愛,  / 古山 通久,  坪井 秀行,  畠山 望,  遠藤 明,  高羽 洋充,  / 久保 百司,  宮本 明,  

[発表日]2008/10/2
[資料番号]SDM2008-158
実験との融合を指向した計算化学手法による蛍光体の構造解析(プロセス科学と新プロセス技術)

大沼 宏彰,  山下 格,  芹澤 和実,  鈴木 愛,  / 古山 通久,  坪井 秀行,  畠山 望,  遠藤 明,  高羽 洋充,  / 久保 百司,  宮本 明,  

[発表日]2008/10/2
[資料番号]SDM2008-159
ペロブスカイト型BaTiO_3の誘電特性解析のための超高速化量子分子動力学法の開発(プロセス科学と新プロセス技術)

肖 紅君,  平井 敬,  鈴木 愛,  / 古山 通久,  坪井 秀行,  畠山 望,  遠藤 明,  高羽 洋充,  / 久保 百司,  宮本 明,  

[発表日]2008/10/2
[資料番号]SDM200-160
B_<18>H_<22>注入のミリ秒アニールに対する適用性(プロセス科学と新プロセス技術)

川崎 洋司,  遠藤 誠一,  北澤 雅史,  丸山 祥輝,  山下 朋弘,  黒井 隆,  吉村 秀文,  米田 昌弘,  

[発表日]2008/10/2
[資料番号]SDM2008-161
Hf混晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討(プロセス科学と新プロセス技術)

高 峻,  石川 純平,  大見 俊一郎,  

[発表日]2008/10/2
[資料番号]SDM2008-162
MOSFET特性ばらつき、RTSノイズの統計的評価(プロセス科学と新プロセス技術)

藤澤 孝文,  須川 成利,  渡部 俊一,  阿部 健一,  寺本 章伸,  大見 忠弘,  

[発表日]2008/10/2
[資料番号]SDM2008-163
Impact of Fully Depleted Silicon-On-Insulator Accumulation-mode CMOS on Si(110)

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[発表日]2008/10/2
[資料番号]SDM2008-164
Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関(プロセス科学と新プロセス技術)

熊谷 勇喜,  寺本 章伸,  阿部 健一,  藤澤 孝文,  渡部 俊一,  諏訪 智之,  宮本 直人,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2008/10/2
[資料番号]SDM2008-165
シリコン酸化膜中に取り込まれたドーパントの影響(プロセス科学と新プロセス技術)

永嶋 賢史,  赤堀 浩史,  

[発表日]2008/10/2
[資料番号]SDM2008-166
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