エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2008/03/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2008/3/7
[資料番号]
目次

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[発表日]2008/3/7
[資料番号]
二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子(不揮発メモリと関連技術及び一般)

大場 竜二,  三谷 祐一郎,  杉山 直治,  藤田 忍,  

[発表日]2008/3/7
[資料番号]SDM2007-273
酸化物チャネル強誘電体ゲート不揮発性メモリ素子の作製と評価(不揮発メモリと関連技術及び一般)

柴田 宏,  大岩 朝洋,  徳光 永輔,  

[発表日]2008/3/7
[資料番号]SDM2007-274
Characteristics of metal-ferroelectric-insulartor-semiconductor structures based on poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene)

尹 珠元,  大見 俊一郎,  石原 宏,  

[発表日]2008/3/7
[資料番号]SDM2007-275
先鋭マイクロバンプによる高密度・低温・エリア接続チップ積層技術(不揮発メモリと関連技術及び一般)

渡辺 直也,  岩崎 裕,  浅野 種正,  

[発表日]2008/3/7
[資料番号]SDM2007-276
常温接続によるシリコン貫通電極チップ三次元化技術(不揮発メモリと関連技術及び一般)

田中 直敬,  吉村 保廣,  川下 道宏,  植松 俊英,  内藤 孝洋,  赤沢 隆,  

[発表日]2008/3/7
[資料番号]SDM2007-277
先端不揮発性メモリの将来展望とその積層化に関する基礎検討(不揮発メモリと関連技術及び一般)

渡辺 重佳,  

[発表日]2008/3/7
[資料番号]SDM2007-278
独立したゲートを持つダブルゲートトランジスタを用いたLSIの新設計法(不揮発メモリと関連技術及び一般)

廣島 佑,  岡本 恵介,  / 渡辺 重佳,  

[発表日]2008/3/7
[資料番号]SDM2007-279
複写される方へ

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[発表日]2008/3/7
[資料番号]
Notice for Photocopying

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[発表日]2008/3/7
[資料番号]
奥付

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[発表日]2008/3/7
[資料番号]