エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2007/11/09)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2007/11/9
[資料番号]
目次

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[発表日]2007/11/9
[資料番号]
イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

松之内 恵子,  小松 直佳,  木村 千春,  青木 秀充,  杉野 隆,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]R2007-46,ED2007-179,SDM2007-214
フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

渡邊 大祐,  青木 秀充,  堀田 沙織,  木村 千春,  杉野 隆,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]R2007-47,ED2007-180,SDM2007-215
高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

二ツ木 高志,  大江 太郎,  青木 秀充,  小松 直佳,  木村 千春,  杉野 隆,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]R2007-48,ED2007-181,SDM2007-216
多重台形型チャネルを持つAlGaN/GaN HEMTの高温での電流安定性(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

田村 隆博,  小谷 淳二,  大井 幸多,  橋詰 保,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]R2007-49,ED2007-182,SDM2007-217
AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

松下 景一,  寺本 信一郎,  桜井 博幸,  沈 正七,  川崎 久夫,  高木 一考,  高田 賢治,  津田 邦男,  /,  /,  /,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]R2007-50,ED2007-183,SDM2007-218
高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

井上 雄介,  増田 哲,  金村 雅仁,  多木 俊裕,  牧山 剛三,  岡本 直哉,  今西 健治,  吉川 俊英,  原 直紀,  重松 寿生,  常信 和清,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]R2007-51,ED2007-184,SDM2007-219
AlGaN/GaN HEMT量産のためのリーク電流による選別(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

八巻 史一,  石井 和明,  西 眞弘,  生松 均,  舘野 泰範,  川田 春雄,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]R2007-52,ED2007-185,SDM2007-220
Cuイオンドリフトに起因したCu配線間TDDB劣化モデル(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

鈴村 直仁,  山本 茂久,  真壁 一也,  小笠原 誠,  小守 純子,  村上 英一,  

[発表日]2007/11/9
[資料番号]R2007-53,ED2007-186,SDM2007-221
複写される方へ

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[発表日]2007/11/9
[資料番号]
Notice for photocopying

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[発表日]2007/11/9
[資料番号]
奥付

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[発表日]2007/11/9
[資料番号]