エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2007/05/31)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2007/5/31
[資料番号]
目次

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[発表日]2007/5/31
[資料番号]
MONOS型不揮発メモリーの電子および正孔トラップ解析(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

石田 猛,  山田 廉一,  鳥居 和功,  白石 賢二,  

[発表日]2007/5/31
[資料番号]SDM2007-31
Si_3N_4/Si-rich Nitride(SRN)/Si_3N_4積層膜の電子捕獲特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

峰 利之,  石田 猛,  濱村 浩孝,  鳥居 和功,  

[発表日]2007/5/31
[資料番号]SDM2007-32
窒化膜中のキャリア移動度測定手法とMONOSメモリのデータ保持特性への応用(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

片山 弘造,  石川 清志,  

[発表日]2007/5/31
[資料番号]SDM2007-33
プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

三浦 真嗣,  大田 晃生,  村上 秀樹,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  鴻野 真之,  西田 辰夫,  中西 敏雄,  

[発表日]2007/5/31
[資料番号]SDM2007-34
SiO_2に埋め込まれたフローティングゲートへの多電子注入機構の提案(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

高田 幸宏,  村口 正和,  白石 賢二,  

[発表日]2007/5/31
[資料番号]SDM2007-35
大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

熊谷 勇喜,  寺本 章伸,  須川 成利,  諏訪 智之,  大見 忠弘,  

[発表日]2007/5/31
[資料番号]SDM2007-36
B添加Pd_2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

白石 博之,  細井 卓治,  大田 晃生,  宮崎 誠一,  芝原 健太郎,  

[発表日]2007/5/31
[資料番号]SDM2007-37
高圧水蒸気処理によるSiO_2/4H-SiC界面改質とMOSFET特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

矢野 裕司,  武田 大輔,  畑山 智亮,  浦岡 行治,  冬木 隆,  

[発表日]2007/5/31
[資料番号]SDM2007-38
プラズマ窒化膜/Siの界面構造、サブナイトライド、価電子帯構造(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

寺本 章伸,  荒谷 崇,  樋口 正顕,  池永 英司,  野平 博司,  須川 成利,  大見 忠弘,  服部 健雄,  

[発表日]2007/5/31
[資料番号]SDM2007-39
極薄プラズマ酸窒化膜MOSFETのNBTI信頼性に対する窒素プロファイルとフッ素注入の効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

寺井 真之,  藤枝 信次,  

[発表日]2007/5/31
[資料番号]SDM2007-40
SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリング(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

下川 淳二,  遠田 利之,  青木 伸俊,  谷本 弘吉,  伊藤 早苗,  豊島 義明,  

[発表日]2007/5/31
[資料番号]SDM2007-41
HfSiOxのBTIに対する窒素添加効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

田村 知大,  内藤 達也,  佐藤 基之,  犬宮 誠治,  蓮沼 隆,  山部 紀久夫,  

[発表日]2007/5/31
[資料番号]SDM2007-42
LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi_2挿入による界面電気特性改善効果の実証(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

高島 章,  西川 幸江,  清水 達雄,  鈴木 正道,  松下 大介,  吉木 昌彦,  富田 充裕,  山口 豪,  小山 正人,  福島 伸,  

[発表日]2007/5/31
[資料番号]SDM2007-43
ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

佐藤 創志,  舘 喜一,  宋 在烈,  角嶋 邦之,  パールハット アヘメト,  筒井 一生,  杉井 信之,  服部 健雄,  岩井 洋,  

[発表日]2007/5/31
[資料番号]SDM2007-44
熱処理雰囲気に依存したLaAlO_3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

鈴木 正道,  土屋 義規,  小山 正人,  

[発表日]2007/5/31
[資料番号]SDM2007-45
スパッタ法によるLaAlO_3の成膜と電気特性の評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

西岡 浩,  菊地 真,  木村 勲,  神保 武人,  鄒 紅コウ,  

[発表日]2007/5/31
[資料番号]SDM2007-46
Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

喜多 浩之,  能村 英幸,  鈴木 翔,  高橋 俊岳,  西村 知紀,  鳥海 明,  

[発表日]2007/5/31
[資料番号]SDM2007-47
光電子分光法によるHfO_2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

大田 晃生,  中川 博,  村上 秀樹,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2007/5/31
[資料番号]SDM2007-48
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