IEICE Technical Committee

エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2007/05/17)

タイトル/著者/発表日/資料番号

表紙

[発表日]2007/5/17
[資料番号]

Influence of the thickness on β-Ga_2O_3 Oxygen Gas Sensor at High Temperature

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-9,CPM2007-8,SDM2007-9

MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・γ線画像検出器に関する研究(I)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

大村翔洋, 中村公二, 田中龍一, 安形保則, ニラウラマダン, 安田和人,

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-10,CPM2007-9,SDM2007-10

MOVPE法による厚膜CdTe層を用いた大面積X線・γ線画像検出器に関する研究(II)(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

箕浦晋平, 大橋寛之, 新宮一輝, 横田昌大, 安形保則, ニラウラマダン, 安田和人,

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-11,CPM2007-10,SDM2007-11

高品質ZnO薄膜の作製とUVディテクタへの応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

林隆雄, 中村篤志, 天明二郎, アルバロナバーロトーバー, エリアスムニョスメリノ,

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-12,CPM2007-11,SDM2007-12

過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

福島圭亮, 加藤正史, 市村正也, 兼近将一, 石黒修, 加地徹,

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-13,CPM2007-12,SDM2007-13

Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

宇木大輔, 山口岳宏, 田中雄太, 渕真悟, 宇治原徹, 竹田美和,

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-14,CPM2007-13,SDM2007-14

青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

以西雅章, 堀野友良, 倉地雄史,

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-15,CPM2007-14,SDM2007-15

青色EL素子用SrS:Cu薄膜のPL発光特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

以西雅章, 倉地雄史, 堀野友良,

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-16,CPM2007-15,SDM2007-16

ZnO系DH接合の成長とそのEL発光評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

大橋俊哉, 山本兼司, 坪井貴子, ガンジルサンディップ, 中村篤志, 天明二郎,

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-17,CPM2007-16,SDM2007-17

Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

若原昭浩, 岡田浩, 河合洋明, 下條貴史,

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-18,CPM2007-17,SDM2007-18

紫外線照射による大気中におけるa-CN_x:H膜の酸化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

櫻井勝俊, 木下治久,

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-19,CPM2007-18,SDM2007-19

電気化学堆積法によるSnO_2薄膜の作製(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

王俊, 市村正也,

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-20,CPM2007-19,SDM2007-20

横型反応管を用いたZnO薄膜のRPE-MOCVD成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

安達允彦, 青嶌剛嗣, 中村篤志, 天明二郎,

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-21,CPM2007-20,SDM2007-21

フラッシュ蒸着法によるCuInSe_2薄膜のエピタキシャル成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

伊藤晃範, 平岡航, 高橋崇宏, 江間義則,

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-22,CPM2007-21,SDM2007-22

ショットキーダイオードの電気的測定によるGaNに対するプラズマエッチングの影響の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

加藤正史, 三鴨一輝, 市村正也, 兼近将一, 石黒修, 加地徹,

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-23,CPM2007-22,SDM2007-23

Pドープ極薄SOI-MOSFETの単電子特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

永田大輔, 海老澤一仁, モラルダニエル, 田部道晴,

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-24,CPM2007-23,SDM2007-24

Electrochemial deposition of InS_x thin film by periodic pulse-form biasing and its characterization

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-25,CPM2007-24,SDM2007-25

スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

以西雅章, 中村功一, 長南祐史, 細川貴之,

[発表日]2007/5/17
[資料番号]ED2007-26,CPM2007-25,SDM2007-26