エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2007/03/08)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2007/3/8
[資料番号]
目次

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[発表日]2007/3/8
[資料番号]
五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)

松井 裕一,  黒土 健三,  外村 修,  森川 貴博,  木下 勝治,  藤崎 芳久,  松崎 望,  半澤 悟,  寺尾 元康,  高浦 則克,  守谷 浩志,  岩崎 富生,  茂庭 昌弘,  古賀 剛,  

[発表日]2007/3/8
[資料番号]SDM2006-254
抵抗変化メモリの熱反応モデルを用いたリセット動作の検討(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)

佐藤 嘉洋,  木下 健太郎,  能代 英之,  青木 正樹,  杉山 芳弘,  

[発表日]2007/3/8
[資料番号]SDM2006-255
SiO_2/SiO_x/SiC/Si MIS抵抗変化型不揮発性メモリ(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)

須田 良幸,  長谷川 宏巳,  

[発表日]2007/3/8
[資料番号]SDM2006-256
3次元型トランジスタ導入によるLSIの高密度化の検討(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)

渡辺 重佳,  岡本 恵介,  広島 祐,  小泉 恵介,  大谷 真,  

[発表日]2007/3/8
[資料番号]SDM2006-257
高密度強誘電体メモリ用のMOCVD合成Pb(Zr,Ti)O_3の高再現性作製のための(111)配向したSrRuO_3/Pt下部電極(非揮発性メモリ及び関連プロセス一般)

メヌー ニコラス,  桑原 弥紀,  舟窪 浩,  

[発表日]2007/3/8
[資料番号]SDM2006-258
大容量Chain-FeRAM用高信頼微細キャパシタプロセス技術(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)

山川 晃司,  尾崎 徹,  金谷 宏行,  國島 巌,  玖村 芳典,  下城 義朗,  首藤 晋,  日高 修,  山田 有紀,  山崎 壮一,  浜本 毅司,  白武 慎一郎,  高島 大三郎,  宮川 正,  大槻 純人,  

[発表日]2007/3/8
[資料番号]SDM2006-259
マイクロ波励起プラズマ有機金属化学気相堆積装置の開発と強誘電体Sr_2(Ta_<1-x>,Nb_x)_2O_7膜の形成(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)

高橋 一郎,  船岩 清,  安曇 啓太,  山下 哲,  白井 泰雪,  平山 昌樹,  寺本 章伸,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2007/3/8
[資料番号]SDM2006-260
微細MOSFETの各種リーク電流を考慮した2電源型システムLSIの消費電力削減効果の検討(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)

渡辺 重佳,  花見 智,  小林 学,  高畠 俊徳,  

[発表日]2007/3/8
[資料番号]SDM2006-261
複写される方へ

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[発表日]2007/3/8
[資料番号]
奥付

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[発表日]2007/3/8
[資料番号]