エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2007/01/19)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2007/1/19
[資料番号]
目次

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[発表日]2007/1/19
[資料番号]
IEDM2006を振り返って(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

坂本 邦博,  

[発表日]2007/1/19
[資料番号]SDM2006-217
(100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

舘下 八州志,  王 俊利,  長野 香,  平野 智之,  宮波 勇樹,  生田 哲也,  片岡 豊隆,  菊池 善明,  山口 晋平,  安藤 崇志,  田井 香織,  松本 良輔,  藤田 繁,  山根 千種,  山本 亮,  神田 さおり,  釘宮 克尚,  木村 忠之,  大地 朋和,  山本 雄一,  長濱 嘉彦,  萩本 賢哉,  若林 整,  田川 幸雄,  塚本 雅則,  岩元 勇人,  齋藤 正樹,  門村 新吾,  長島 直樹,  

[発表日]2007/1/19
[資料番号]SDM2006-218
高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

新居 英明,  佐貫 朋也,  岡山 康則,  太田 和伸,  岩本 俊幸,  藤巻 剛,  木村 泰巳,  渡辺 竜二,  菰田 泰生,  英保 亜弓,  相川 恒,  山口 理恵,  森本 類,  大島 亮介,  横山 孝司,  松本 拓治,  鉢峰 清太,  十河 康則,  志野 誠也,  金井 貞夫,  山崎 崇,  高橋 誠司,  前田 英訓,  岩田 敏彦,  大野 圭一,  竹川 陽一,  大石 要,  東郷 光洋,  深作 克彦,  高須 靖夫,  山崎 博之,  猪熊 英幹,  松尾 浩二,  佐藤 力,  中澤 正志,  片桐 孝浩,  中澤 圭一,  新山 卓,  手塚 友樹,  藤田 繁,  香川 恵永,  長岡 弘二郎,  村松 諭,  岩佐 誠一,  三本木 省二,  吉田 健司,  須之内 一正,  岩井 正明,  斉藤 正樹,  池田 昌弘,  榎本 容幸,  成瀬 宏,  今井 清隆,  山田 誠司,  長島 直樹,  桑田 孝明,  松岡 史倫,  

[発表日]2007/1/19
[資料番号]SDM2006-219
SOCを低電力化する回路技術とデバイスモデルの課題(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

石橋 孝一郎,  大林 茂樹,  永久 克己,  谷沢 元昭,  塚本 康正,  長田 健一,  宮崎 裕行,  山岡 雅直,  

[発表日]2007/1/19
[資料番号]SDM2006-220
高速ユニポーラスイッチングRRAM技術(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

細井 康成,  玉井 幸夫,  大西 哲也,  石原 数也,  渋谷 隆広,  井上 雄史,  山崎 信夫,  中野 貴司,  大西 茂夫,  粟屋 信義,  井上 公,  島 久,  秋永 広幸,  高木 英典,  赤穂 博司,  十倉 好紀,  

[発表日]2007/1/19
[資料番号]SDM2006-221
不純物偏析Schottkyソース/ドレインを用いた高性能FinFET(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

金子 明生,  八木下 淳史,  矢橋 勝典,  窪田 壮男,  大村 光広,  松尾 浩司,  水島 一郎,  岡野 王俊,  川崎 博久,  泉田 貴士,  金村 貴永,  青木 伸俊,  木下 敦寛,  古賀 淳二,  稲葉 聡,  石丸 一成,  豊島 義明,  石内 秀美,  須黒 恭一,  江口 和弘,  綱島 祥隆,  

[発表日]2007/1/19
[資料番号]SDM2006-222
基板バイアス係数可変完全空乏型SOI MOSFETの短チャネル特性評価(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

大藤 徹,  更屋 拓哉,  下川 公明,  堂前 泰宏,  長友 良樹,  井田 次郎,  平本 俊郎,  

[発表日]2007/1/19
[資料番号]SDM2006-223
High-k及びSiO_2ゲート絶縁膜を有するMOSFETにおける低電界移動度と高電界キャリア速度の関係(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

齋藤 真澄,  内田 建,  

[発表日]2007/1/19
[資料番号]SDM2006-224
SOI基板上のNi-FUSI/HfSiON MOSFETにおけるしきい値電圧制御(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

寺島 浩一,  間部 謙三,  高橋 健介,  渡部 宏治,  小倉 卓,  西藤 哲史,  忍田 真希子,  五十嵐 信行,  辰巳 徹,  渡辺 啓仁,  

[発表日]2007/1/19
[資料番号]SDM2006-225
Dual-core-SiON技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

辻川 真平,  梅田 浩司,  林 岳,  大西 和博,  志賀 克哉,  河瀬 和雅,  由上 二郎,  吉村 秀文,  米田 昌弘,  

[発表日]2007/1/19
[資料番号]SDM2006-226
Sub-50nm MOSFETにおけるポリゲート起因キャリア分布ばらつきの抑制(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

福留 秀暢,  籾山 陽一,  久保 智裕,  吉田 英司,  田島 貢,  森岡 博,  青山 敬幸,  

[発表日]2007/1/19
[資料番号]SDM2006-227
複写される方へ

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[発表日]2007/1/19
[資料番号]
Notice for Photocopying

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[発表日]2007/1/19
[資料番号]
奥付

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[発表日]2007/1/19
[資料番号]