エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2006/12/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2006/12/7
[資料番号]
目次

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[発表日]2006/12/7
[資料番号]
a-Si中の水素原子とエキシマ・レーザ結晶化 : 核形成・成長に大きな影響を与えるか?(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

松尾 直人,  部家 彰,  芹川 正,  河本 直哉,  

[発表日]2006/12/7
[資料番号]SDM2006-202
Ni内包フェリチンタンパク質を用いた多結晶シリコンの大粒径化(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

南条 泰弘,  浦岡 行治,  冬木 隆,  奥田 光宏,  山下 一郎,  

[発表日]2006/12/7
[資料番号]SDM2006-203
カーボン光吸収層を用いたシリコン膜の半導体レーザ結晶化(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

佐野 直樹,  安藤 伸行,  鮫島 俊之,  

[発表日]2006/12/7
[資料番号]SDM2006-204
ゲルマニウム薄膜のレーザ結晶化(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

安藤 伸行,  鮫島 俊之,  東 清一郎,  

[発表日]2006/12/7
[資料番号]SDM2006-205
急速熱処理した極浅イオン注入シリコンウエハの紫外ラマン分光による非破壊結晶性評価(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

吉本 昌広,  西垣 宏,  播磨 弘,  一色 俊之,  /,  

[発表日]2006/12/7
[資料番号]SDM2006-206
シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

中嶋 薫,  趙 明,  鈴木 基史,  木村 健二,  植松 真司,  鳥居 和功,  神山 聡,  奈良 安雄,  山田 啓作,  舘 喜一,  角嶋 邦之,  岩井 洋,  

[発表日]2006/12/7
[資料番号]SDM2006-207
高圧水蒸気熱処理したSiO_2/4H-SiC界面特性の改善(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

武田 大輔,  矢野 裕司,  畑山 智亮,  浦岡 行治,  冬木 隆,  

[発表日]2006/12/7
[資料番号]SDM2006-208
SiC基板上高品質ゲート絶縁膜の低温形成(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

田中 康太郎,  寺本 章伸,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2006/12/7
[資料番号]SDM2006-209
ダブルRESURF構造を用いた横型高耐圧SiC MOSFETの低オン抵抗化(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

登尾 正人,  須田 淳,  木本 恒暢,  

[発表日]2006/12/7
[資料番号]SDM2006-210
インクジェット法におけるパターン形状の改善(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

山口 正樹,  山本 麻,  増田 陽一郎,  

[発表日]2006/12/7
[資料番号]SDM2006-211
SiO_x薄膜の超急速熱処理によるSi結晶形成およびその発光特性評価(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

岡田 竜弥,  東 清一郎,  加久 博隆,  寄本 拓也,  村上 秀樹,  宮崎 誠一,  

[発表日]2006/12/7
[資料番号]SDM2006-212
走査型プローブ顕微鏡を用いた単一バイオナノドットの電気特性解析(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

田中 亮大,  三浦 篤志,  浦岡 行治,  冬木 隆,  山下 一郎,  

[発表日]2006/12/7
[資料番号]SDM2006-213
イオン注入により導入された酸素・窒素不純物がSiGe/Siヘテロ構造の転位の挙動に及ぼす影響について(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

原 明人,  田村 直義,  中村 友二,  

[発表日]2006/12/7
[資料番号]SDM2006-214
32nm世代以降に向けた高性能Two-step Recessed SiGe-S/D構造pMOSFET(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

安武 信昭,  石田 達也,  大内 和也,  青木 伸俊,  楠 直樹,  森 伸二,  水島 一郎,  諸岡 哲,  矢橋 勝典,  川中 繁,  東 篤志,  石丸 一成,  豊島 義明,  

[発表日]2006/12/7
[資料番号]SDM2006-215
アセンブリ応力によるトランジスタ特性変動定量化技術と応力緩和構造(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)

小池 功二,  竹村 康司,  佐野 光,  伊藤 豊,  高橋 昌男,  石川 和弘,  平野 博茂,  

[発表日]2006/12/7
[資料番号]SDM2006-216
複写される方へ

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[発表日]2006/12/7
[資料番号]
Notice about Photocopying

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[発表日]2006/12/7
[資料番号]
奥付

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[発表日]2006/12/7
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