エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2006/06/14)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2006/6/14
[資料番号]
目次

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[発表日]2006/6/14
[資料番号]
MOCVD法による堆積膜/SiCの作製と評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

日野 史郎,  畑山 智裕,  徳光 永輔,  三浦 成久,  大森 達夫,  

[発表日]2006/6/14
[資料番号]SDM2006-42
HfO_2/Ge(100)構造における光電子分光分析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

中川 博,  大田 晃生,  安部 浩透,  村上 秀樹,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2006/6/14
[資料番号]SDM2006-43
光電子分光法によるAl_2O_3/SiN_x/poly-Siスタック構造における界面反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

古川 寛章,  多比良 昌弘,  大田 晃生,  中川 博,  村上 秀樹,  宮崎 誠一,  米田 賢司,  堀川 貢弘,  小山 邦明,  三宅 秀治,  

[発表日]2006/6/14
[資料番号]SDM2006-44
La_2O_3-Al_2O_3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

佐合 寿文,  世古 明義,  坂下 満男,  酒井 朗,  小川 正毅,  財満 鎭明,  

[発表日]2006/6/14
[資料番号]SDM2006-45
低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

上殿 明良,  大塚 崇,  伊東 健一,  白石 賢二,  山部 紀久夫,  宮崎 誠一,  梅澤 直人,  知京 豊裕,  大平 俊行,  鈴木 良一,  犬宮 誠治,  神山 聡,  赤坂 泰志,  奈良 安雄,  山田 啓作,  

[発表日]2006/6/14
[資料番号]SDM2006-46
フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

嶋本 泰洋,  由上 二郎,  井上 真雄,  水谷 斉治,  林 岳,  米田 昌弘,  

[発表日]2006/6/14
[資料番号]SDM2006-47
金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

大毛利 健治,  / 白石 賢二,  渡部 平司,  赤坂 泰志,  山部 紀久夫,  吉武 道子,  /,  奈良 安雄,  山田 啓作,  知京 豊裕,  

[発表日]2006/6/14
[資料番号]SDM2006-48
NiSi/SiO_2界面近傍の化学結合状態およびNiSi層の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

吉永 博路,  東 大介,  村上 秀樹,  大田 晃生,  宗高 勇気,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  青山 敬幸,  保坂 公彦,  芝原 健太郎,  

[発表日]2006/6/14
[資料番号]SDM2006-49
シリコン表面マイクロラフネスの発生メカニズムと低減技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

森永 均,  島岡 健治,  大見 忠弘,  

[発表日]2006/6/14
[資料番号]SDM2006-50
フェリチンタンパク質コアの非晶質Si薄膜中熱処理による還元(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

松村 貴志,  三浦 篤志,  浦岡 行治,  冬木 隆,  吉井 重雄,  山下 一郎,  

[発表日]2006/6/14
[資料番号]SDM2006-51
Si(110)とSi(100)表面の初期酸化過程の違い : リアルタイム光電子分光測定から(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

末光 眞希,  加藤 篤,  富樫 秀晃,  今野 篤史,  山本 喜久,  寺岡 有殿,  吉越 章隆,  成田 克,  

[発表日]2006/6/14
[資料番号]SDM2006-52
Si(110)基板上CMOSトランジスタ特性のGate酸化プロセス依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

桧山 晋,  王 俊利,  加藤 孝義,  平野 智之,  田井 香織,  岩元 勇人,  

[発表日]2006/6/14
[資料番号]SDM2006-53
直接窒化膜特性のシリコン結晶面密度依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

樋口 正顕,  品川 誠治,  寺本 章伸,  野平 博司,  服部 健雄,  池永 英司,  / 須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2006/6/14
[資料番号]SDM2006-54
角度分解光電子分光を用いたSiO_2/SiN積層膜の窒素濃度分布の解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

豊田 智史,  岡林 潤,  尾嶋 正治,  劉 国林,  劉 紫園,  池田 和人,  臼田 宏治,  

[発表日]2006/6/14
[資料番号]SDM2006-55
窒素高濃度極薄SiON膜のV_改善メカニズム(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

松下 大介,  村岡 浩一,  中崎 靖,  加藤 弘一,  菊地 祥子,  佐久間 究,  三谷 祐一郎,  高柳 万里子,  江口 和弘,  

[発表日]2006/6/14
[資料番号]SDM2006-56
極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

三谷 祐一郎,  佐竹 秀喜,  

[発表日]2006/6/14
[資料番号]SDM2006-57
HfNのECRプラズマ酸化によるHfON薄膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

大見 俊一郎,  黒瀬 朋紀,  佐藤 雅樹,  

[発表日]2006/6/14
[資料番号]SDM2006-58
酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

趙 明,  中嶋 薫,  鈴木 基史,  木村 健二,  植松 真司,  鳥居 和功,  神山 聡,  奈良 安雄,  山田 啓作,  

[発表日]2006/6/14
[資料番号]SDM2006-59
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