エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2006/05/11)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2006/5/11
[資料番号]
目次

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[発表日]2006/5/11
[資料番号]
急速アニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の向上(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

以西 雅章,  佐々木 孝輔,  中川 大輔,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-20,CPM2006-7,SDM2006-20
Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

長南 祐史,  以西 雅章,  東條 靖,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-21,CPM2006-8,SDM2006-21
Influence of Annealing Conditions on the Sensing Properties of Oxygen Gas Sensor with β-Ga_2O_3 Films Deposited by CSD Method for High Temperatures(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

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[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-22,CPM2006-9,SDM2006-22
酸化膜還元法による極薄エピタキシャルγ-Al_2O_3膜の作製とデバイス応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

岡田 貴行,  伊藤 幹記,  澤田 和明,  石田 誠,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-23,CPM2006-10,SDM2006-23
RPE-MOCVD法を用いた可視域Zn_<1-x>CdxO薄膜成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

大橋 俊哉,  石原 純二,  中村 篤志,  青木 徹,  天明 二郎,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-24,CPM2006-11,SDM2006-24
サファイア基板上のZnOナノドット制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

岡松 航太,  中川 聡,  中村 篤志,  青木 徹,  天明 二郎,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-25,CPM2006-12,SDM2006-25
熱分解法によるSiC基板上カーボンナノ構造制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

橋本 佳孝,  章 国強,  中村 篤志,  田中 昭,  天明 二郎,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-26,CPM2006-13,SDM2006-26
金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

小出 晋也,  中村 和哉,  劉 玉懐,  三宅 秀人,  平松 和政,  中村 淳,  南部 信義,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-27,CPM2006-14,SDM2006-27
Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

石井 丈晴,  松岡 史晃,  三宅 秀人,  平松 和政,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-28,CPM2006-15,SDM2006-28
m面SiC基板上に成長したIII族窒化物半導体薄膜の微細構造観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

永井 哲也,  川島 毅士,  仲野 靖孝,  井村 将隆,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-29,CPM2006-16,SDM2006-29
Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

河野 達矢,  畠中 奨,  伊藤 幹記,  若原 昭浩,  岡田 浩,  石田 誠,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-30,CPM2006-17,SDM2006-30
Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

若原 昭浩,  古川 雄三,  佐藤 淳,  島田 英里,  箕原 大介,  米津 宏雄,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-31,CPM2006-18,SDM2006-31
Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

梅野 和行,  金 聖晩,  古川 雄三,  米津 宏雄,  若原 昭浩,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-32,CPM2006-19,SDM2006-32
Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

太田 成人,  森崎 祐二,  文 秀榮,  石地 正義,  古川 雄三,  米津 宏雄,  若原 昭浩,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-33,CPM2006-20,SDM2006-33
GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

宇治原 徹,  陳 博,  安井 健一,  酒井 良介,  山本 将博,  中西 彊,  竹田 美和,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-34,CPM2006-21,SDM2006-34
非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

則竹 陽介,  山田 巧,  田渕 雅夫,  竹田 美和,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-35,CPM2006-22,SDM2006-35
Al薄膜を用いた表面プロセスによるAlGaNショットキー界面のリーク電流制御(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

小谷 淳二,  金子 昌充,  橋詰 保,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-36,CPM2006-23,SDM2006-36
n型ダイヤモンドショットキーダイオードおよび金属/ダイヤモンド界面の電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

鈴木 真理子,  小泉 聡,  片桐 雅之,  小野 富男,  佐久間 尚志,  吉田 博昭,  酒井 忠司,  

[発表日]2006/5/11
[資料番号]ED2006-37,CPM2006-24,SDM2006-37
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