エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2006/03/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2006/3/7
[資料番号]
目次

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[発表日]2006/3/7
[資料番号]
GSTの結晶構造および表面形状とラテラル型相変化素子の相変化制御性(新型不揮発性メモリ)

保坂 純男,  宮地 晃平,  尹 友,  仁井田 大輔,  曾根 逸人,  

[発表日]2006/3/7
[資料番号]SDM2005-259
酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)

松崎 望,  黒土 健三,  松井 裕一,  外村 修,  山本 直樹,  藤崎 芳久,  北井 直樹,  竹村 理一郎,  長田 健一,  半澤 悟,  守谷 浩志,  岩崎 富生,  河原 尊之,  高浦 則克,  寺尾 元康,  松岡 正道,  茂庭 昌弘,  

[発表日]2006/3/7
[資料番号]SDM2005-260
3端子固体電解質ナノスイッチ(新型不揮発性メモリ)

阪本 利司,  伴野 直樹,  井口 憲幸,  帰山 隼一,  水野 正之,  川浦 久雄,  長谷川 剛,  寺部 一弥,  青野 正和,  

[発表日]2006/3/7
[資料番号]SDM2005-261
強誘電体材料における抵抗スイッチ現象(新型不揮発性メモリ)

神 好人,  酒井 英明,  篠島 弘幸,  嶋田 勝,  榎本 陽一,  木内 幹保,  

[発表日]2006/3/7
[資料番号]SDM2005-262
高集積MRAM用の砂時計型MTJによる反転磁界の低減(新型不揮発性メモリ)

佐藤 嘉洋,  矢垣 真也,  吉田 親子,  能代 英之,  佐藤 雅重,  青木 正樹,  杉山 芳弘,  

[発表日]2006/3/7
[資料番号]SDM2005-263
大容量MRAM技術の開発 : 新規MTJ形状と精密MTJエッチングによる書き込みマージンの拡大(新型不揮発性メモリ)

吉川 将寿,  與田 博明,  甲斐 正,  浅尾 吉昭,  池川 純夫,  土田 賢二,  波田 博光,  田原 修一,  

[発表日]2006/3/7
[資料番号]SDM2005-264
微細MOSFETのリーク電流を考慮したシステムLSIの高速低消費電力設計法(新型不揮発性メモリ)

渡辺 重佳,  

[発表日]2006/3/7
[資料番号]SDM2005-265
3次元型トランジスタFinFETを用いたシステムLSIの設計法 : パターン面積の縮小効果の見積もり(新型不揮発性メモリ)

渡辺 重佳,  

[発表日]2006/3/7
[資料番号]SDM2005-266
MFIS構造のラジカル照射による特性改善(新型不揮発性メモリ)

金島 岳,  / 吉永 真生,  奥山 雅則,  

[発表日]2006/3/7
[資料番号]SDM2005-267
複写される方へ

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[発表日]2006/3/7
[資料番号]
奥付

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[発表日]2006/3/7
[資料番号]