エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2006/01/30)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2006/1/30
[資料番号]
目次

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[発表日]2006/1/30
[資料番号]
45nm Cu/Low-k配線対応Ultra Low-k膜UVキュア技術の検討(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)

後藤 欣哉,  橋井 忍,  松本 雅弘,  三浦 典子,  古澤 健志,  松浦 正純,  大崎 明彦,  

[発表日]2006/1/30
[資料番号]SDM2005-250
吸湿によるヴィア不良のメカニズム及び45nm世代多層配線デザインへの影響(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)

藤巻 剛,  東 和幸,  中村 直文,  松永 範昭,  吉田 健司,  羽多野 正亮,  蓮沼 正彦,  和田 純一,  西岡 岳,  秋山 和隆,  川島 寛之,  榎本 容幸,  長谷川 利昭,  本多 健二,  岩井 正明,  山田 誠司,  松岡 史倫,  

[発表日]2006/1/30
[資料番号]SDM2005-251
45nm CMOSアプリケーション毎の配線構造最適化のための設計コンセプト:ASIS(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)

小田 典明,  井村 裕則,  川原 尚由,  田上 政由,  國嶋 浩之,  曽祢 修次,  大西 貞之,  山田 健太,  角原 由美,  関根 誠,  林 善宏,  上野 和良,  

[発表日]2006/1/30
[資料番号]SDM2005-252
熱フィラメント水素ラジカル源を用いたCu表面処理(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)

近藤 英一,  深澤 真也,  

[発表日]2006/1/30
[資料番号]SDM2005-253
極低酸素分圧を用いたCu酸化物クリーニング技術(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)

遠藤 和彦,  白川 直樹,  吉田 良行,  / 三野 哲也,  御福 英史,  鈴木 英一,  

[発表日]2006/1/30
[資料番号]SDM2005-254
Cu-CMPプロセスにおける欠陥がTDDB信頼度に与える影響(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)

小西 信博,  山田 洋平,  野口 純司,  神保 智子,  

[発表日]2006/1/30
[資料番号]SDM2005-255
低酸素Cu合金を用いた45nm世代LSI対応デュアルダマシン配線(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)

阿部 真理,  多田 宗弘,  大竹 浩人,  古武 直也,  成広 充,  新井 浩一,  竹内 常雄,  斉藤 忍,  伊藤 文則,  山本 博規,  田上 政由,  小田 典明,  関根 誠,  林 喜宏,  

[発表日]2006/1/30
[資料番号]SDM2005-256
細幅Cu配線のストレスマイグレーション(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)

河野 隆宏,  鈴木 貴志,  大塚 敏志,  細田 勉,  中村 友二,  水島 賢子,  塩津 基樹,  松山 英也,  庄野 健,  綿谷 宏文,  大倉 嘉之,  佐藤 元伸,  福山 俊一,  宮嶋 基守,  

[発表日]2006/1/30
[資料番号]SDM2005-257
Cu配線構造における応力解析(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)

小寺 雅子,  柿沼 繁,  ジュセッペ ペッツォッティ,  

[発表日]2006/1/30
[資料番号]SDM2005-258
複写される方へ

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[発表日]2006/1/30
[資料番号]
Notice about Photocopying

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[発表日]2006/1/30
[資料番号]
奥付

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[発表日]2006/1/30
[資料番号]