エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2006/01/13)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2006/1/13
[資料番号]
目次

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[発表日]2006/1/13
[資料番号]
一軸歪みSGOIチャネルを有する高性能マルチゲートpMOSFETs(先端CMOSデバイス・プロセス技術)

入沢 寿史,  沼田 敏典,  手塚 勉,  臼田 宏治,  中払 周,  平下 紀夫,  杉山 直治,  豊田 英二,  高木 信一,  

[発表日]2006/1/13
[資料番号]SDM2005-224
膜厚5nm以下の(110)面ダブルゲート極薄SOI nMOSFETにおけるボリュームインバージョンによる移動度向上(先端CMOSデバイス・プロセス技術)

筒井 元,  齋藤 真澄,  更屋 拓哉,  南雲 俊治,  平本 俊郎,  

[発表日]2006/1/13
[資料番号]SDM2005-225
Siトンネリング選択成長によるせり上げSDE構造を持つSub-10-nm CMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)

若林 整,  辰巳 徹,  五十嵐 信行,  忍田 真希子,  川本 英明,  池澤 延幸,  池澤 健夫,  山本 豊二,  羽根 正巳,  

[発表日]2006/1/13
[資料番号]SDM2005-226
Σ型SiGe-SD構造を有する超高速45nmノード・バルクCMOSデバイス(先端CMOSデバイス・プロセス技術)

大田 裕之,  金永 ソク,  島宗 洋介,  佐久間 崇,  畑田 明良,  片上 朗,  添田 武志,  川村 和郎,  小倉 輝,  森岡 博,  渡邉 崇史,  王 純志,  早見 由香,  小倉 寿典,  田島 貢,  森 年史,  田村 直義,  児島 学,  橋本 浩一,  

[発表日]2006/1/13
[資料番号]SDM2005-227
高性能45nmノードCMOSFET技術とストレス印加による移動度向上技術のスケーラビリティ(先端CMOSデバイス・プロセス技術)

大石 周,  藤井 修,  横山 孝司,  太田 和伸,  佐貫 朋也,  猪熊 英幹,  江田 健太郎,  伊高 利昭,  宮島 秀史,  岩佐 誠一,  山崎 博之,  大内 和也,  松尾 浩司,  永野 元,  菰田 泰生,  岡山 康則,  松本 拓治,  深作 克彦,  清水 敬,  宮野 清孝,  鈴木 隆志,  矢橋 勝典,  堀内 淳,  竹川 陽一,  佐喜 和朗,  森 伸二,  大野 圭一,  水島 一郎,  斎藤 正樹,  岩井 正明,  山田 誠司,  長島 直樹,  松岡 史倫,  

[発表日]2006/1/13
[資料番号]SDM2005-228
CMOS用極薄SiONゲート絶縁膜のn/p独立チューニング(先端CMOSデバイス・プロセス技術)

辻川 真平,  梅田 浩司,  川原 孝昭,  川崎 洋司,  志賀 克哉,  山下 朋弘,  林 岳,  由上 二郎,  大野 吉和,  米田 昌弘,  

[発表日]2006/1/13
[資料番号]SDM2005-229
低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)

高柳 万里子,  渡辺 健,  飯島 良介,  小山 正人,  小池 正浩,  井野 恒洋,  上牟田 雄一,  関根 克行,  江口 和弘,  西山 彰,  石丸 一成,  

[発表日]2006/1/13
[資料番号]SDM2005-230
金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)

白石 賢二,  赤坂 泰志,  宮崎 誠一,  中山 隆史,  中岡 高司,  中村 源治,  鳥居 和功,  太田 晃生,  / 大毛利 健治,  渡部 平司,  知京 豊裕,  / 奈良 安雄,  山田 啓作,  

[発表日]2006/1/13
[資料番号]SDM2005-231
高電子移動度0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成(先端CMOSデバイス・プロセス技術)

犬宮 誠治,  赤坂 泰志,  松木 武雄,  大塚 文雄,  鳥居 和功,  奈良 安雄,  

[発表日]2006/1/13
[資料番号]SDM2005-232
GIDLを考慮したLSTP向けFinFETの設計(先端CMOSデバイス・プロセス技術)

田中 克彦,  竹内 潔,  羽根 正己,  

[発表日]2006/1/13
[資料番号]SDM2005-233
バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)

岡野 王俊,  泉田 貴士,  川崎 博久,  金子 明生,  八木下 淳史,  金村 貴永,  近藤 正樹,  伊藤 早苗,  青木 伸俊,  宮野 清孝,  小野 高稔,  矢橋 勝典,  岩出 健次,  窪田 壮男,  松下 貴哉,  水島 一郎,  稲葉 聡,  石丸 一成,  須黒 恭一,  江口 和弘,  綱島 祥隆,  石内 秀美,  

[発表日]2006/1/13
[資料番号]SDM2005-234
90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(先端CMOSデバイス・プロセス技術)

南 良博,  篠 智彰,  坂本 篤史,  東 知輝,  楠 直樹,  藤田 勝之,  初田 幸輔,  大澤 隆,  青木 伸俊,  谷本 弘吉,  森門 六月生,  中島 博臣,  井納 和美,  浜本 毅司,  仁田山 晃寛,  

[発表日]2006/1/13
[資料番号]SDM2005-235
複写される方へ

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[発表日]2006/1/13
[資料番号]
Notice about Photocopying

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[発表日]2006/1/13
[資料番号]
奥付

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[発表日]2006/1/13
[資料番号]