エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2005/09/30)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2005/9/30
[資料番号]
目次

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[発表日]2005/9/30
[資料番号]
45nmノード低消費電力デバイス用Ni_xSi/HfSiONゲートスタック構造(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

西藤 哲史,  寺井 真之,  高橋 健介,  長谷 卓,  小倉 卓,  辰巳 徹,  渡辺 啓仁,  

[発表日]2005/9/30
[資料番号]SDM2005-180
HfSiON high-kゲート形成プロセスによるBTストレス中のV_安定性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

井上 真雄,  水谷 斉治,  野村 幸司,  由上 二郎,  土本 淳一,  大野 吉和,  米田 昌弘,  

[発表日]2005/9/30
[資料番号]SDM2005-181
ECR-Ar/N_2プラズマにより形成したHfON膜の極薄膜化に関する検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

佐藤 雅樹,  黒瀬 朋紀,  大見 俊一郎,  

[発表日]2005/9/30
[資料番号]SDM2005-182
HfNのECR Ar/O_2プラズマ酸化プロセスによる極薄HfSiONの形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

黒瀬 朋紀,  佐藤 雅樹,  大見 俊一郎,  

[発表日]2005/9/30
[資料番号]SDM2005-183
LC共振法による極薄ゲート絶縁膜の電気的膜厚測定法(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

黒田 理人,  寺本 章伸,  小村 政則,  渡辺 一史,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2005/9/30
[資料番号]SDM2005-184
化学反応過程表現機能を実装した古典分子動力学計算プログラムの開発と応用(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

三浦 隆治,  坪井 秀行,  古山 通久,  遠藤 明,  久保 百司,  / 宮本 明,  

[発表日]2005/9/30
[資料番号]SDM2005-185
ハイブリッド量子分子動力学法を用いたアモルファスシリコン基板へのドーピングプロセスの解析(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

増田 剛,  坪井 秀行,  古山 通久,  遠藤 明,  久保 百司,  / 宮本 明,  

[発表日]2005/9/30
[資料番号]SDM2005-186
Theoretical simulation on the excited state properties : Effect of lanthanide ion dopant in yttrium oxide and yttrium oxy-sulphide

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[発表日]2005/9/30
[資料番号]SDM2005-187
プラズマディスプレイ用MgO保護膜の劣化プロセスの解明と理論設計(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

久保 百司,  菊地 宏美,  坪井 秀行,  古山 通久,  遠藤 明,  / 宮本 明,  

[発表日]2005/9/30
[資料番号]SDM2005-188
Study on the Role of Oxygen Vacancies of Indium Tin Oxide by Density Functional Theory and Accelerated Quantum Chemical Molecular Dynamics Method

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[発表日]2005/9/30
[資料番号]SDM2005-189
Theoretical investigation on the electronic properties of conjugated double and triple bond linear carbon chains

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[発表日]2005/9/30
[資料番号]SDM2005-190
Investigation of the Electrical and Electronic Properties of Semiconductor Oxide Gas Sensors by Tight-Binding Quantum Calculations

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[発表日]2005/9/30
[資料番号]SDM2005-191
複写される方へ

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[発表日]2005/9/30
[資料番号]
Notice about photocopying

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[発表日]2005/9/30
[資料番号]
奥付

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[発表日]2005/9/30
[資料番号]