エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2005/09/29)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2005/9/29
[資料番号]
目次

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[発表日]2005/9/29
[資料番号]
自己整合メタルキャップによるCu配線完全被覆化技術の検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

齋藤 達之,  芦原 洋司,  石川 憲輔,  宮内 正敬,  岩崎 富生,  

[発表日]2005/9/29
[資料番号]SDM2005-173
高速化量子分子動力学法に基づく電気伝導特性推算法の開発とシリコン材料への応用(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

坪井 秀行,  / 朱 志剛,  古山 通久,  遠藤 明,  久保 百司,  / 宮本 明,  

[発表日]2005/9/29
[資料番号]SDM2005-174
多層Si/SiGe構造におけるSiGe層横方向選択エッチングと多層SOI構造の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

仲西 知之,  高橋 博,  矢橋 健一,  大見 俊一郎,  酒井 徹志,  

[発表日]2005/9/29
[資料番号]SDM2005-175
水酸基終端シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

杉田 義博,  伊藤 隆司,  

[発表日]2005/9/29
[資料番号]SDM2005-176
超清浄シリコン表面の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

河瀬 和雅,  梅田 浩司,  井上 真雄,  諏訪 智之,  樋口 正顕,  寺本 章伸,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2005/9/29
[資料番号]SDM2005-177
水素によって誘起されるシリコン酸化膜中の欠陥生成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

宮田 正靖,  ヴァン ドゥーイン アドリ C. T.,  タヒア ケリー ジャミル,  ゴッダードIII ウィリアム A.,  

[発表日]2005/9/29
[資料番号]SDM2005-178
Suppression of the low frequency noise level in (100) and (110) oriented silicon p-MOSFETs induced by an alkali-free cleaning process

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[発表日]2005/9/29
[資料番号]SDM2005-179
複写される方へ

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[発表日]2005/9/29
[資料番号]
Notice about photocopying

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[発表日]2005/9/29
[資料番号]
奥付

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[発表日]2005/9/29
[資料番号]