エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2005/06/22)

タイトル/著者/発表日/資料番号
COVER

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[発表日]2005/6/22
[資料番号]
CONTENTS

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[発表日]2005/6/22
[資料番号]
AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

上本 康裕,  広瀬 裕,  村田 智洋,  石田 秀俊,  引田 正洋,  柳原 学,  井上 薫,  田中 毅,  上田 大助,  江川 孝志,  

[発表日]2005/6/22
[資料番号]ED2005-85,SDM2005-105
高信頼度GaN-HEMT増幅器(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

吉川 俊英,  常信 和清,  

[発表日]2005/6/22
[資料番号]ED2005-86,SDM2005-106
InP系集積回路の新応用技術(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

上綱 秀樹,  

[発表日]2005/6/22
[資料番号]ED2005-87,SDM2005-107
Comparative studies on the conventional Metamorphic High Electron Mobility Transistor and InP-composite channel Metamorphic High Electron Mobility Transistor on the Breakdown Voltage(High Speed and Optoelectronic Technology I)

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[発表日]2005/6/22
[資料番号]ED2005-88,SDM2005-108
Channel Engineering of III-Nitride HEMTs for Enhanced Device Performance(High Speed and Optoelectronic Technology II)

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[発表日]2005/6/22
[資料番号]ED2005-89,SDM2005-109
Application of Photonic Crystals to LED(High Speed and Optoelectronic Technology II)

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[発表日]2005/6/22
[資料番号]ED2005-90,SDM2005-110
A Study of LPE HgCdTe Wafer Characteristics Flattened with Single-Point Diamond Turning Method(High Speed and Optoelectronic Technology II)

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[発表日]2005/6/22
[資料番号]ED2005-91,SDM2005-111
Low-k/Cu技術の現状と将来動向(High Speed and Optoelectronic Technology II, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

吉川 公麿,  

[発表日]2005/6/22
[資料番号]ED2005-92,SDM2005-112
複写される方へ

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[発表日]2005/6/22
[資料番号]
Notice about photocopying

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[発表日]2005/6/22
[資料番号]
奥付

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[発表日]2005/6/22
[資料番号]