エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2005/06/02)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2005/6/2
[資料番号]
目次

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[発表日]2005/6/2
[資料番号]
ゲート絶縁膜材料の誘電率の第一原理計算 : 電子系及び格子系の誘電応答解析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

濱田 智之,  籾田 浩義,  山本 武範,  宇田 毅,  大野 隆央,  

[発表日]2005/6/2
[資料番号]SDM2005-58
高誘電率ゲート絶縁膜における電子ストレスのRigged QED (Quantum Electrodynamics)理論に基づく第一原理計算 : 核-電子-電磁場複合ダイナミクスの第一原理計算プログラム開発(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

立花 明知,  

[発表日]2005/6/2
[資料番号]SDM2005-59
HfO_2薄膜成長過程の分光エリプソメトリによるその場観察と第一原理計算との比較(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

鄭 仰東,  土屋 良重,  佐藤 大典,  水田 博,  小田 俊理,  

[発表日]2005/6/2
[資料番号]SDM2005-60
XPS/AESによるHfSiOx薄膜の光学的誘電率の推定(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

鈴木 伸子,  山脇 師之,  鳥居 和功,  川原 孝昭,  廣瀬 和之,  

[発表日]2005/6/2
[資料番号]SDM2005-61
絶縁膜の結合状態、誘電特性評価法としてのTEM-EELSのポテンシャル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

田中 洋毅,  小池 三夫,  富田 充裕,  上牟田 雄一,  井野 恒洋,  小池 正浩,  小山 正人,  竹野 史郎,  

[発表日]2005/6/2
[資料番号]SDM2005-62
TEMエネルギー損失分光を用いたhigh-k絶縁膜の誘電的性質の評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

五十嵐 信行,  間部 謙三,  高橋 健介,  

[発表日]2005/6/2
[資料番号]SDM2005-63
光電子分光とX線吸収分光を用いた絶縁膜の化学結合状態、結晶化状態およびバンドオフセットの評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

尾嶋 正治,  豊田 智史,  高橋 晴彦,  岡林 潤,  組頭 広志,  劉 国林,  劉 紫園,  池田 和人,  臼田 宏治,  

[発表日]2005/6/2
[資料番号]SDM2005-64
走査型トンネル顕微鏡を用いたhigh-kゲート絶縁膜の評価 : STMスポットと正固定電荷の相関(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

宮田 典幸,  太田 裕之,  市川 昌和,  

[発表日]2005/6/2
[資料番号]SDM2005-65
極薄シリコン酸窒化膜の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

野平 博司,  品川 盛治,  生田 哲也,  堀 充明,  加勢 正隆,  岡本 英介,  吉田 徹史,  服部 健雄,  

[発表日]2005/6/2
[資料番号]SDM2005-66
HfO_2系高誘電率ゲート絶縁膜の熱的安定 : 分子動力学シミュレーション(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

金田 千穂子,  山崎 隆浩,  小坂 裕子,  

[発表日]2005/6/2
[資料番号]SDM2005-67
コンビナトリアル手法によるHfO_2系酸化膜の電気特性評価 : 熱力学観点からの材料選択と界面制御(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

知京 豊裕,  長谷川 顕,  田森 妙,  /,  中島 清美,  山田 啓作,  鯉沼 秀臣,  

[発表日]2005/6/2
[資料番号]SDM2005-68
堆積金属酸化法によるHfO_2/Si構造の作成とその高分解能RBS評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

上野 智雄,  長里 喜隆,  小林 晃子,  入野 真,  

[発表日]2005/6/2
[資料番号]SDM2005-69
複写される方へ

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[発表日]2005/6/2
[資料番号]
Notice about photocopying

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[発表日]2005/6/2
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奥付

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[発表日]2005/6/2
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