エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2005/05/20)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2005/5/20
[資料番号]
目次

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[発表日]2005/5/20
[資料番号]
HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

辻澤 健一,  田鍋 智章,  阿部 晃久,  劉 玉懐,  三宅 秀人,  平松 和政,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-34,CPM2005-26,SDM2005-34
MOVPE法による厚膜AlN成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

藤元 直樹,  北野 司,  成田 剛,  井村 将隆,  / 岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  下野 健二,  野呂 匡志,  高木 俊,  坂東 章,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-35,CPM2005-27,SDM2005-35
サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

成田 剛,  藤元 直樹,  広瀬 貴利,  北野 司,  川島 毅士,  飯田 一喜,  津田 道信,  バラクリシュナン クリシュナン,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-36,CPM2005-28,SDM2005-36
高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

仲野 靖孝,  井村 将隆,  成田 剛,  北野 司,  藤元 直樹,  バラクリッシュナン クリッシュナン,  津田 道信,  岩谷 素顕,  上山 智,  天野 浩,  赤崎 勇,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-37,CPM2005-29,SDM2005-37
MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

石川 博康,  日比野 聡彦,  江川 孝志,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-38,CPM2005-30,SDM2005-38
ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

淀 徳男,  山本 高裕,  高山 智行,  香山 卓史,  中村 俊喜,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-39,CPM2005-31,SDM2005-39
ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

淀 徳男,  田本 清温,  嶋田 照也,  二口 博行,  藤井 洋平,  真岡 岳史,  原田 義之,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-40,CPM2005-32,SDM2005-40
KOH水溶液を用いたInNの極性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

武藤 大祐,  荒木 努,  直井 弘之,  名西 惠之,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-41,CPM2005-33,SDM2005-41
InNの光学的特性の結晶品質依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

直井 弘之,  黒内 正仁,  荒木 努,  山口 智広,  名西 惠之,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-42,CPM2005-34,SDM2005-42
RF-MBE成長したInN薄膜に対する熱酸化処理の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

荒木 努,  米田 亮太郎,  早川 祐矢,  萬 謙太郎,  直井 弘之,  鈴木 彰,  名西 惠之,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-43,CPM2005-35,SDM2005-43
格子整合系InGaPN/GaPの光学特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

若原 昭浩,  今西 友晴,  金 聖晩,  古川 雄三,  米津 宏雄,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-44,CPM2005-36,SDM2005-44
AlGaN/GaN構造に形成したショットキー接合の漏れ電流制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

金子 昌充,  橋詰 保,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-45,CPM2005-37,SDM2005-45
GaNを用いた水の光電気分解デバイス : GaNの光電気化学(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

藤井 克司,  大川 和宏,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-46,CPM2005-38,SDM2005-46
(001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

彦坂 年輝,  小出 典克,  本田 善央,  山口 雅史,  澤木 宣彦,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-47,CPM2005-39,SDM2005-47
γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

畠中 奨,  藤盛 敬雄,  伊藤 幹記,  若原 昭浩,  岡田 浩,  石田 誠,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-48,CPM2005-40,SDM2005-48
バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

長谷 吉起,  楠 真一郎,  土田 良彦,  小野 善伸,  西川 直宏,  三宅 秀人,  平松 和政,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-49,CPM2005-41,SDM2005-49
GaN-MOVPE成長における化学反応経路の熱流体計算解析 : TMGa/NH_3/H_2系での化学反応について(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

平子 晃,  小磯 沙織,  草部 一秀,  大川 和宏,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-50,CPM2005-42,SDM2005-50
PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

藤岡 洋,  小林 篤,  太田 実雄,  

[発表日]2005/5/20
[資料番号]ED2005-51,CPM2005-43,SDM2005-51
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