エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2005/05/19)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2005/5/19
[資料番号]
目次

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[発表日]2005/5/19
[資料番号]
MOVPE法によるCdTe/GaAsダイオード型放射線検出器(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

大西 浩文,  江口 和隆,  高橋 博之,  野田 光太郎,  安形 保則,  マダン ニラウラ,  安田 和人,  

[発表日]2005/5/19
[資料番号]ED2005-16,CPM2005-8,SDM2005-16
MOVPE法によるSi基板上CdTe層直接成長と成長層特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

江口 和隆,  大西 浩文,  高橋 博之,  野田 光太郎,  安形 保則,  マダン ニラウラ,  安田 和人,  

[発表日]2005/5/19
[資料番号]ED2005-17,CPM2005-9,SDM2005-17
量子ディスクと導波路結合構造における励起子ポラリトンの光学的共鳴(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

山口 雅史,  田中 宏佳,  横井 美典,  高木 英俊,  澤木 宣彦,  

[発表日]2005/5/19
[資料番号]ED2005-18,CPM2005-10,SDM2005-18
非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

山田 巧,  則竹 陽介,  田渕 雅夫,  竹田 美和,  

[発表日]2005/5/19
[資料番号]ED2005-19,CPM2005-11,SDM2005-19
メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

宇治原 徹,  吉田 義浩,  李 祐植,  竹田 美和,  

[発表日]2005/5/19
[資料番号]ED2005-20,CPM2005-12,SDM2005-20
メタン及び窒素プラズマソースを用いて作製したアモルファスカーボン薄膜の特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

鎌田 直樹,  林 靖彦,  曽我 哲夫,  神保 孝志,  

[発表日]2005/5/19
[資料番号]ED2005-21,CPM2005-13,SDM2005-21
光学フィルタを必要としない蛍光検出フォトセンサの提案と製作(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

丸山 結城,  澤田 和明,  高尾 英邦,  石田 誠,  

[発表日]2005/5/19
[資料番号]ED2005-22,CPM2005-14,SDM2005-22
Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

以西 雅章,  立井 友浩,  藤安 洋,  

[発表日]2005/5/19
[資料番号]ED2005-23,CPM2005-15,SDM2005-23
光化学堆積(PCD)法によるZnO薄膜の作製と評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

東 雅紀,  宮脇 哲哉,  市村 正也,  

[発表日]2005/5/19
[資料番号]ED2005-24,CPM2005-16,SDM2005-24
ZnOナノドット形成の基板依存性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

岡松 航太,  中川 聡,  中村 篤志,  青木 徹,  天明 二郎,  

[発表日]2005/5/19
[資料番号]ED2005-25,CPM2005-17,SDM2005-25
リモートプラズマMOCVD法によるMg_xZn_<1-x>O薄膜成長と光学特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

山本 兼司,  中村 篤志,  石原 純二,  青木 徹,  天明 二郎,  

[発表日]2005/5/19
[資料番号]ED2005-26,CPM2005-18,SDM2005-26
白色LEDの最新技術動向(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

田口 常正,  

[発表日]2005/5/19
[資料番号]ED2005-27,CPM2005-19,SDM2005-27
白色LED用蛍光体について(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

小田喜 勉,  

[発表日]2005/5/19
[資料番号]ED2005-28,CPM2005-20,SDM2005-28
白色LEDの開発と光環境について(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

遠藤 哲夫,  

[発表日]2005/5/19
[資料番号]ED2005-29,CPM2005-21,SDM2005-29
硫化物からのInGaN結晶の合成とその発光特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

蟹江 壽,  小林 晋吾,  瀬間 勇二,  

[発表日]2005/5/19
[資料番号]ED2005-30,CPM2005-22,SDM2005-30
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

以西 雅章,  稲垣 優輝,  市川 哲章,  藤安 洋,  

[発表日]2005/5/19
[資料番号]ED2005-31,CPM2005-23,SDM2005-31
InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

平山 秀樹,  大橋 智昭,  石橋 幸治,  鎌田 憲彦,  

[発表日]2005/5/19
[資料番号]ED2005-32,CPM2005-24,SDM2005-32
InAlGaN非混和性に対する基板拘束の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

寒川 義裕,  柿本 浩一,  伊藤 智徳,  纐纈 明伯,  

[発表日]2005/5/19
[資料番号]ED2005-33,CPM2005-25,SDM2005-33
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