エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2005/03/04)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2005/3/4
[資料番号]
目次

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[発表日]2005/3/4
[資料番号]
遷移金属酸化物接合の電界誘起抵抗スイッチング : RRAMの動作メカニズム解明を目指して(新型不揮発性メモリ)

澤 彰仁,  藤井 健志,  川崎 雅司,  十倉 好紀,  

[発表日]2005/3/4
[資料番号]SDM2004-248
230% ROOM TEMPERATURE MAGNETORESISTANCE IN CoFeB/MgO/CoFeB MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS

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[発表日]2005/3/4
[資料番号]SDM2004-249
0.18μmMRAMをビークルとしたMRAM大容量化の検討(新型不揮発性メモリ)

山岸 肇,  庄子 光治,  山村 育弘,  大塚 渉,  山田 浩之,  中村 元昭,  元吉 真,  鹿野 博司,  細見 政功,  山元 哲也,  別所 和宏,  成沢 浩亮,  八野 英生,  相良 敦,  森 寛伸,  福本 千恵子,  

[発表日]2005/3/4
[資料番号]SDM2004-250
大容量、高速、低電力、6F^2 MRAMセルのデバイスデザインおよびプロセスインテグレーション : 新しい磁化反転方式の提案(新型不揮発性メモリ)

浅尾 吉昭,  甲斐 正,  池川 純夫,  土田 賢二,  石綿 延行,  波田 博光,  田原 修一,  與田 博明,  

[発表日]2005/3/4
[資料番号]SDM2004-251
高速/高信頼性130nm-node MRAM(新型不揮発性メモリ)

上野 修一,  栄森 貴尚,  黒岩 丈晴,  古田 陽雄,  土本 淳一,  前島 伸六,  辻 高晴,  古賀 剛,  大路 譲,  

[発表日]2005/3/4
[資料番号]SDM2004-252
MOCVD法による強誘電体ナノ構造の形成とその物性(新型不揮発性メモリ)

清水 勝,  野々村 哉,  藤沢 浩訓,  丹生 博彦,  本田 耕一郎,  

[発表日]2005/3/4
[資料番号]SDM2004-253
白金上チタン酸ビスマス薄膜における過剰ビスマス添加効果(新型不揮発性メモリ)

山口 正樹,  山本 麻,  増田 陽一郎,  

[発表日]2005/3/4
[資料番号]SDM2004-254
減圧仮焼成法による酸化物薄膜結晶化促進機構(新型不揮発性メモリ)

藤崎 芳久,  石原 宏,  

[発表日]2005/3/4
[資料番号]SDM2004-255
MOCVDによる強誘電体PZT薄膜キャパシタの作製 : 成膜安定性と前後プロセス依存性(新型不揮発性メモリ)

西岡 浩,  梶沼 雅彦,  増田 健,  木村 勲,  菊地 真,  神保 武人,  植田 昌久,  遠藤 光広,  小風 豊,  鄒 紅〓,  

[発表日]2005/3/4
[資料番号]SDM2004-256
表面窒化SiO_2バッファ層を有するMFIS構造(新型不揮発性メモリ)

平川 雅一,  野田 実,  奥山 雅則,  

[発表日]2005/3/4
[資料番号]SDM2004-257
金属/強誘電体/絶縁体/半導体積層構造を用いたトランジスタ型強誘電体メモリ(新型不揮発性メモリ)

會澤 康治,  高橋 憲弘,  朴 炳垠,  石原 宏,  

[発表日]2005/3/4
[資料番号]SDM2004-258
相変化メモリを利用した不揮発性SRAM(新型不揮発性メモリ)

高田 雅史,  中山 和也,  泉 貴富,  新村 達,  北川 章夫,  

[発表日]2005/3/4
[資料番号]SDM2004-259
Si量子ドットフローティングゲートMOSFETにおける多段階電子注入(新型不揮発性メモリ)

永井 武志,  池田 弥央,  村上 秀樹,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2005/3/4
[資料番号]SDM2004-260
光照射下におけるSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの電荷注入・放出特性(新型不揮発性メモリ)

柴口 拓,  池田 弥央,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2005/3/4
[資料番号]SDM2004-261
複写される方へ

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[発表日]2005/3/4
[資料番号]
Notice about Photocopying

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[発表日]2005/3/4
[資料番号]
奥付

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[発表日]2005/3/4
[資料番号]