エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2005/01/20)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2005/1/20
[資料番号]
目次

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[発表日]2005/1/20
[資料番号]
MOVPE選択成長によるセルフアラインゲート型細線トランジスタの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)

大池 昇,  本久 順一,  福井 孝志,  

[発表日]2005/1/20
[資料番号]ED2004-227,SDM2004-222
ローカルエピタキシー法によるCoSi_2/CaF_2三重障壁共鳴トンネルダイオードの微分負性抵抗特性(量子効果デバイス及び関連技術)

渡辺 正裕,  田村 信平,  金澤 徹,  自念 圭輔,  浅田 雅洋,  

[発表日]2005/1/20
[資料番号]ED2004-228,SDM2004-223
三重障壁共鳴トンネルダイオードの最適構造に関する検討(量子効果デバイス及び関連技術)

堀江 元,  須原 理彦,  朝岡 直哉,  福光 政和,  奥村 次徳,  

[発表日]2005/1/20
[資料番号]ED2004-229,SDM2004-224
MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)

田村 隆博,  湯元 美樹,  玉井 功,  葛西 誠也,  佐藤 威友,  長谷川 英機,  

[発表日]2005/1/20
[資料番号]ED2004-230,SDM2004-225
単一磁束量子回路を用いた高速ディジタル集積回路技術 : ハイエンドコンピュータや量子コンピュータ応用への展開(量子効果デバイス及び関連技術)

吉川 信行,  

[発表日]2005/1/20
[資料番号]ED2004-231,SDM2004-226
ヘキサゴナルBDD量子論理回路をベースにした超低消費電力ナノプロセッサの実装(量子効果デバイス及び関連技術)

葛西 誠也,  湯元 美樹,  田村 隆博,  長谷川 英機,  

[発表日]2005/1/20
[資料番号]ED2004-232,SDM2004-227
単電子ニューロデバイスの熱雑音特性に関する数値的考察(量子効果デバイス及び関連技術)

大矢 剛嗣,  浅井 哲也,  加賀谷 亮,  廣瀬 哲也,  雨宮 好仁,  

[発表日]2005/1/20
[資料番号]ED2004-233,SDM2004-228
複写される方へ

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[発表日]2005/1/20
[資料番号]
Notice about photocopying

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[発表日]2005/1/20
[資料番号]
奥付

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[発表日]2005/1/20
[資料番号]