エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2005/01/14)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2005/1/14
[資料番号]
目次

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[発表日]2005/1/14
[資料番号]
Sub-10-nm平面型Bulk CMOSにおけるS/D直接トンネル電流特性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

若林 整,  江崎 達也,  羽根 正巳,  池澤 健夫,  阪本 利司,  川浦 久雄,  山上 滋春,  五十嵐 信行,  竹内 潔,  山本 豊二,  

[発表日]2005/1/14
[資料番号]SDM2004-209
高性能・部分空乏型および完全空乏型ひずみSOI-MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

沼田 敏典,  入沢 寿史,  手塚 勉,  古賀 淳二,  平下 紀夫,  臼田 宏治,  豊田 英二,  宮村 佳児,  田邊 顕人,  杉山 直治,  高木 信一,  

[発表日]2005/1/14
[資料番号]SDM2004-210
チャネル方向と構造起因歪みの組み合わせを用いた45nm世代のための高移動度CMOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

菰田 泰生,  大石 周,  佐貫 朋也,  笠井 邦弘,  吉村 尚朗,  大野 圭一,  岩井 正明,  斎藤 正樹,  松岡 史倫,  長島 直樹,  野口 達夫,  

[発表日]2005/1/14
[資料番号]SDM2004-211
Si(100), (110), (111)面上のn及びp型反転層における一軸応力下の移動度の面内異方性とユニバーサリティー(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

入江 宏,  喜多 浩之,  弓野 健太郎,  鳥海 明,  

[発表日]2005/1/14
[資料番号]SDM2004-212
集積シリコン単電子トランジスタ回路を用いた電流スイッチング及びアナログパターンマッチングの室温実証(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

齋藤 真澄,  原田 英浩,  平本 俊郎,  

[発表日]2005/1/14
[資料番号]SDM2004-213
組成制御Niフルシリサイド電極を用いた低消費電力向けHfSiONゲート絶縁膜MOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

高橋 健介,  間部 謙三,  五十嵐 多恵子,  五十嵐 信行,  長谷 卓,  吉原 拓也,  渡部 平司,  辰巳 徹,  望月 康則,  

[発表日]2005/1/14
[資料番号]SDM2004-214
ACストレス下でのNBTIに及ぼすSiON中窒素プロファイルの影響(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

三谷 祐一郎,  

[発表日]2005/1/14
[資料番号]SDM2004-215
HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

鳥居 和功,  白石 賢二,  宮崎 誠一,  山部 紀久夫,  / 知京 豊裕,  山田 啓作,  北島 洋,  有門 経敏,  

[発表日]2005/1/14
[資料番号]SDM2004-216
HfSiON-CMOSFETの高性能・高信頼性に向けたHf濃度の指針(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

渡辺 健,  高柳 万里子,  小島 健嗣,  関根 克行,  山崎 博之,  江口 和弘,  石丸 一成,  石内 秀美,  

[発表日]2005/1/14
[資料番号]SDM2004-217
Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

土屋 龍太,  堀内 勝忠,  木村 紳一郎,  山岡 雅直,  河原 尊之,  前川 繁登,  一法師 隆志,  大路 譲,  松岡 秀行,  

[発表日]2005/1/14
[資料番号]SDM2004-218
ゲートLERがsub-50nm N-MOSFETのextension不純物分布へ及ぼす影響の直接評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

福留 秀暢,  籾山 陽一,  久保 智裕,  田川 幸雄,  青山 敬幸,  有本 宏,  

[発表日]2005/1/14
[資料番号]SDM2004-219
90/130nmテクノロジのCMOS回路におけるソフトエラー(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

戸坂 義春,  江原 英郎,  井桁 光昭,  上村 大樹,  岡 秀樹,  松岡 伸行,  畑中 吉治,  

[発表日]2005/1/14
[資料番号]SDM2004-220
キャパシタレス1T-DRAMのスケーラビリティ : ダブルゲートFinDRAMの提案(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

田中 徹,  吉田 英司,  宮下 俊彦,  

[発表日]2005/1/14
[資料番号]SDM2004-221
裏表紙

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[発表日]2005/1/14
[資料番号]