エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2004/10/08)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2004/10/8
[資料番号]
目次

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[発表日]2004/10/8
[資料番号]
Fe添加による(Ba,Sr)TiO_3膜薄膜化に伴う誘電率低下の抑制効果(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

今井 馨太郎,  

[発表日]2004/10/8
[資料番号]SDM2004-180
低エネルギーSi,Geビーム照射によるシリコン表面極浅領域のアモルファス化シミュレーション(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

増田 剛,  坪井 秀行,  古山 通久,  久保 百司,  宮本 明,  

[発表日]2004/10/8
[資料番号]SDM2004-181
ハイブリッド量子分子動力学による低エネルギーボロン注入ダイナミクスの解明(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

佐川 藍,  佐藤 未季,  伊賀 英樹,  篠田 克己,  坪井 秀行,  古山 通久,  久保 百司,  今村 詮,  宮本 明,  

[発表日]2004/10/8
[資料番号]SDM2004-182
電場下での大規模ダイナミクスシミュレーションを可能とするキネティックモンテカルロ法の開発(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

久保 百司,  黒川 仁,  坪井 秀行,  古山 通久,  宮本 明,  

[発表日]2004/10/8
[資料番号]SDM2004-183
高速化量子分子動力学法による大規模Si系のバンド計算(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

坪井 秀行,  古山 通久,  久保 百司,  宮本 明,  

[発表日]2004/10/8
[資料番号]SDM2004-184
MOSFETにおける低周波ランダム・テレグラフ雑音および1/f雑音の挙動(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

戸板 真人,  

[発表日]2004/10/8
[資料番号]SDM2004-185
シリコン表面の化学反応性に関する量子化学的検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

千葉 景子,  坪井 秀行,  古山 通久,  久保 百司,  二井 啓一,  寺本 章伸,  大見 忠弘,  宮本 明,  

[発表日]2004/10/8
[資料番号]SDM2004-186
シリコン表面の自然酸化抑制(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

赤堀 浩史,  二井 啓一,  塚本 和巳,  寺本 章伸,  大見 忠弘,  

[発表日]2004/10/8
[資料番号]SDM2004-187
Excited State Study of Europium Oxide and Europium Sulphide using Quantum Chemical Method

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[発表日]2004/10/8
[資料番号]SDM2004-188
Accelerated Quantum Chemical Molecular Dynamics Study on the Properties of Organic Light-Emitting Diodes

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[発表日]2004/10/8
[資料番号]SDM2004-189
高速化量子分子動力学法によるケミカルメカニカルポリッシングプロセスの電子・原子レベルシミュレーション(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

古山 通久,  / 坪井 秀行,  久保 百司,  宮本 明,  

[発表日]2004/10/8
[資料番号]SDM2004-190
半導体・平板ディスプレイとそれらの製造設備用樹脂材料の分解抑制(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

日高 敦志,  山下 哲,  石井 秀和,  北野 真史,  棚橋 直樹,  白井 泰雪,  大見 忠弘,  

[発表日]2004/10/8
[資料番号]SDM2004-191
複写される方へ

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[発表日]2004/10/8
[資料番号]
奥付

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[発表日]2004/10/8
[資料番号]