エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2004/10/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2004/10/7
[資料番号]
目次

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[発表日]2004/10/7
[資料番号]
低リーク、高移動度HfSiONゲートを実現する界面制御技術(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

井上 真雄,  水谷 斉治,  野村 幸司,  由上 二郎,  土本 淳一,  大野 吉和,  米田 昌弘,  

[発表日]2004/10/7
[資料番号]SDM2004-173
原子状酸素を用いた酸化処理による強誘電体STN薄膜の特性改善(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

磯貝 達典,  高橋 一郎,  桜井 弘之,  後藤 哲也,  平山 昌樹,  寺本 章伸,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2004/10/7
[資料番号]SDM2004-174
メモリテストシステムにおける高速・超低BERインターコネクション(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

岡安 俊幸,  

[発表日]2004/10/7
[資料番号]SDM2004-175
SPAを用いたラジカル酸化プロセスの応用 : ポリシリコン上直接酸化(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

小林 岳志,  古井 慎吾,  北川 淳一,  尾崎 成則,  

[発表日]2004/10/7
[資料番号]SDM2004-176
ラジカル酸化および熱酸化により形成した極薄シリコン酸化膜中の電子の脱出深さ(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

岡本 英介,  東 和文,  品川 盛治,  吉田 徹史,  野平 博司,  池永 英司,  高田 恭孝,  小林 啓介,  辛 埴,  服部 健雄,  

[発表日]2004/10/7
[資料番号]SDM2004-177
ラジカル窒化酸化膜におけるNの深さ分布と結合状態の制御(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

河瀬 和雅,  梅田 浩司,  井上 真雄,  諏訪 智之,  樋口 正顕,  小村 政則,  寺本 章伸,  大見 忠弘,  

[発表日]2004/10/7
[資料番号]SDM2004-178
プラズマ窒化によるシリコン酸窒化膜のX線光電子分光(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

品川 盛治,  生田 哲也,  堀 充明,  加瀬 正隆,  岡本 英介,  吉田 徹史,  野平 博司,  服部 健雄,  

[発表日]2004/10/7
[資料番号]SDM2004-179
複写される方へ

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[発表日]2004/10/7
[資料番号]
奥付

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[発表日]2004/10/7
[資料番号]