エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2004/06/15)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2004/6/15
[資料番号]
目次

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[発表日]2004/6/15
[資料番号]
Si酸化膜中におけるB拡散とSi自己拡散の相関(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

植松 真司,  影島 博之,  高橋 庸夫,  深津 茂人,  白石 賢二,  

[発表日]2004/6/15
[資料番号]SDM2004-47
ラジカル窒化酸化膜中NのXPS評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

河瀬 和雅,  梅田 浩司,  井上 真雄,  辻川 真平,  赤松 泰彦,  寺本 章伸,  大見 忠弘,  

[発表日]2004/6/15
[資料番号]SDM2004-48
Si/SiO_2界面の窒素によるトラップレベルの発生(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

山崎 隆浩,  金田 千穂子,  

[発表日]2004/6/15
[資料番号]SDM2004-49
NBTIから考えるSiONゲート絶縁膜のスケーラビリティ(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

辻川 真平,  赤松 泰彦,  梅田 浩司,  由上 二郎,  

[発表日]2004/6/15
[資料番号]SDM2004-50
極薄ゲート絶縁膜における負バイアス温度不安定性とその回復現象(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

三谷 祐一郎,  佐竹 秀喜,  

[発表日]2004/6/15
[資料番号]SDM2004-51
電流検出型原子間力顕微鏡を用いたゲート絶縁膜の局所リーク電流評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

世古 明義,  渡辺 行彦,  近藤 博基,  酒井 朗,  財満 鎭明,  安田 幸夫,  

[発表日]2004/6/15
[資料番号]SDM2004-52
酸化膜絶縁破壊がMOSFETチャネル電流に与える影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

細井 宏昭,  鎌倉 良成,  谷口 研二,  

[発表日]2004/6/15
[資料番号]SDM2004-53
ESRによるHfO_2薄膜の欠陥評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

金島 岳,  池田 幸司,  多田 泰三,  寒川 雅之,  奥山 雅則,  

[発表日]2004/6/15
[資料番号]SDM2004-54
XPS時間依存測定法によるHfAlOx薄膜中の電荷捕獲現象の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

廣瀬 和之,  山脇 師之,  鳥居 和功,  川原 孝昭,  川尻 智司,  服部 健雄,  

[発表日]2004/6/15
[資料番号]SDM2004-55
UHV-C-AFMによるHfO_2/SiO_2スタック構造におけるリークスポットの直接観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

弓野 健太郎,  喜多 浩之,  鳥海 明,  

[発表日]2004/6/15
[資料番号]SDM2004-56
HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

樋口 恵一,  後藤 正和,  鳥居 和功,  上殿 明良,  蓮沼 隆,  山部 紀久夫,  

[発表日]2004/6/15
[資料番号]SDM2004-57
polySi/HfAlOx/SiONゲートスタックの経時絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

鳥居 和功,  大路 洋,  武藤 彰良,  川原 孝昭,  三橋 理一郎,  堀内 淳,  宮崎 誠一,  北島 洋,  

[発表日]2004/6/15
[資料番号]SDM2004-58
HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

平野 泉,  山口 豪,  三谷 祐一郎,  関根 克行,  高柳 万里子,  江口 和弘,  綱島 祥隆,  佐竹 秀喜,  

[発表日]2004/6/15
[資料番号]SDM2004-59
複写される方へ

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[発表日]2004/6/15
[資料番号]
奥付

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[発表日]2004/6/15
[資料番号]