エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2004/05/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2004/5/7
[資料番号]
目次

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[発表日]2004/5/7
[資料番号]
Si/SiO_2共鳴トンネル構造におけるSi井戸層のドット化効果(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

石川 靖彦,  長田 浩平,  池田 浩也,  田部 道晴,  

[発表日]2004/5/7
[資料番号]ED2004-23,CPM2004-18,SDM2004-23
リモートプラズマ励起MOCVD法を用いたCdSe量子ドット形成の研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

小山 貴士,  青木 徹,  天明 二郎,  

[発表日]2004/5/7
[資料番号]ED2004-24,CPM2004-19,SDM2004-24
ZnO量子ドットにおける基板状態の影響(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

中川 聡,  中村 篤志,  青木 徹,  天明 二郎,  

[発表日]2004/5/7
[資料番号]ED2004-25,CPM2004-20,SDM2004-25
石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

以西 雅章,  上木原 浩輝,  清水 寛俊,  永塩 豊,  藤安 洋,  

[発表日]2004/5/7
[資料番号]ED2004-26,CPM2004-21,SDM2004-26
光化学堆積(PCD)法によるZnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

宮脇 哲哉,  小林 良平,  市村 正也,  

[発表日]2004/5/7
[資料番号]ED2004-27,CPM2004-22,SDM2004-27
電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

大本 郁,  / 市村 正也,  

[発表日]2004/5/7
[資料番号]ED2004-28,CPM2004-23,SDM2004-28
電子線蒸着法による石英基板上へのSrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

以西 雅章,  市川 哲章,  深谷 健太郎,  増田 健一郎,  稲垣 優輝,  柴田 佳幸,  藤安 洋,  

[発表日]2004/5/7
[資料番号]ED2004-29,CPM2004-24,SDM2004-29
青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

以西 雅章,  稲垣 優輝,  増田 健一郎,  深谷 健太郎,  杉田 樹宏,  田鍋 智幸,  藤安 洋,  

[発表日]2004/5/7
[資料番号]ED2004-30,CPM2004-25,SDM2004-30
4H-SiCエピ層に含まれる深い準位の光励起容量過渡応答(O-CTS)法を用いた評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

田中 正一,  加藤 正史,  市村 正也,  荒井 英輔,  中村 俊一,  木本 恒暢,  

[発表日]2004/5/7
[資料番号]ED2004-31,CPM2004-26,SDM2004-31
1 MeV electron irradiation effects on GaAs solar cell grown on Si substrate

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[発表日]2004/5/7
[資料番号]ED2004-32,CPM2004-27,SDM2004-32
CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

坂下 大祐,  石田 悠,  青木 徹,  富田 康弘,  畑中 義式,  天明 二郎,  

[発表日]2004/5/7
[資料番号]ED2004-33,CPM2004-28,SDM2004-33
SiCウェハの過剰キャリアライフタイム測定と構造欠陥分布との比較(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

森 健洋,  加藤 正史,  市村 正也,  荒井 英輔,  住江 伸吾,  橋爪 英久,  

[発表日]2004/5/7
[資料番号]ED2004-34,CPM2004-29,SDM2004-34
複写される方へ

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[発表日]2004/5/7
[資料番号]
奥付

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[発表日]2004/5/7
[資料番号]