エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2004/05/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2004/5/6
[資料番号]
目次

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[発表日]2004/5/6
[資料番号]
MOCVD法により低温成長させたGaAs基板上のInGaAs層およびInAs層(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

梅澤 昌義,  小林 佳津,  高野 泰,  福家 俊郎,  

[発表日]2004/5/6
[資料番号]ED2004-15,CPM2004-10,SDM2004-15
減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

小泉 淳,  大西 宏幸,  大渕 博宣,  鷹羽 一輝,  田渕 雅夫,  久野 尚志,  平田 智也,  山内 武志,  島田 里美,  人見 伸也,  山川 市朗,  中村 新男,  竹田 美和,  

[発表日]2004/5/6
[資料番号]ED2004-16,CPM2004-11,SDM2004-16
MBE法による低温成長AlGaAsへのEr添加と発光特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

森 敬洋,  井上 大那,  井上 優樹,  田渕 雅夫,  竹田 美和,  

[発表日]2004/5/6
[資料番号]ED2004-17,CPM2004-12,SDM2004-17
MOVPE法によるSi基板上へのGaN/AlNピラミッド構造の作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

本田 善央,  中村 剛,  山口 雅史,  澤木 宣彦,  

[発表日]2004/5/6
[資料番号]ED2004-18,CPM2004-13,SDM2004-18
モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

伊藤 真也,  津間 博基,  若原 昭浩,  岡田 浩,  吉田 明,  

[発表日]2004/5/6
[資料番号]ED2004-19,CPM2004-14,SDM2004-19
III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

久留 真一,  山田 寛之,  小泉 淳,  大賀 涼,  田渕 雅夫,  竹田 美和,  

[発表日]2004/5/6
[資料番号]ED2004-20,CPM2004-15,SDM2004-20
GaAs基板上GaAs層のMOCVD法による横方向成長(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

岩瀬 隆幸,  福家 俊郎,  高野 泰,  

[発表日]2004/5/6
[資料番号]ED2004-21,CPM2004-16,SDM2004-21
ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

重久 慶,  三崎 貴生,  若原 昭浩,  岡田 浩,  吉田 明,  

[発表日]2004/5/6
[資料番号]ED2004-22,CPM2004-17,SDM2004-22
複写される方へ

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[発表日]2004/5/6
[資料番号]
奥付

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[発表日]2004/5/6
[資料番号]