エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2004/03/10)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2004/3/10
[資料番号]
目次

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[発表日]2004/3/10
[資料番号]
超高密度記録のための相変化チャンネルトランジスタの可能性 : 1つのトランジスタで、メモリ格納とスイッチオンオフ制御(新型不揮発性メモリー)

保坂 純男,  尹 友,  曾根 逸人,  

[発表日]2004/3/10
[資料番号]SDM2003-232
多値相変化メモリの書換特性評価回路の設計(新型不揮発性メモリー)

高田 雅史,  中山 和也,  北川 章夫,  

[発表日]2004/3/10
[資料番号]SDM2003-233
0.18umFeRAM混載システムLSI(新型不揮発性メモリー)

夏目 進也,  長野 能久,  伊東 豊二,  三河 巧,  久都内 知恵,  立成 利貴,  野間 淳史,  平野 博茂,  五寶 靖,  十代 勇治,  藤井 英治,  

[発表日]2004/3/10
[資料番号]SDM2003-234
界面伝導電流を用いた強誘電体ゲートFETメモリの考案(新型不揮発性メモリー)

廣岡 玄,  野田 実,  奥山 雅則,  

[発表日]2004/3/10
[資料番号]SDM2003-235
(Bi,Nd)_4Ti_3O_<12>/HfO_2/Si(100)構造の作製と評価(新型不揮発性メモリー)

田渕 良志明,  朴 炳垠,  會澤 康治,  川島 良仁,  高橋 憲弘,  加藤 一実,  有本 由弘,  石原 宏,  

[発表日]2004/3/10
[資料番号]SDM2003-236
MOCVD法により形成したPbTiO_3自己集合島の構造制御(新型不揮発性メモリー)

野々村 哉,  藤沢 浩訓,  清水 勝,  丹生 博彦,  本田 耕一郎,  

[発表日]2004/3/10
[資料番号]SDM2003-237
ゾルゲル法により形成したBi_<4-X>La_XTi_3O_<12>(BLT)薄膜の表面層を利用した配向性・電気的特性制御(新型不揮発性メモリー)

朴 成一,  徳光 永輔,  

[発表日]2004/3/10
[資料番号]SDM2003-238
次世代デバイスに向けたSi基板上のPZTエピタキシャル薄膜の特性(新型不揮発性メモリー)

近藤 正雄,  山脇 秀樹,  塚田 峰春,  丸山 研二,  栗原 和明,  

[発表日]2004/3/10
[資料番号]SDM2003-239
Atomic Vapor Deposition of SBT and Electrode Materials

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[発表日]2004/3/10
[資料番号]SDM2003-240
MRAM(Magnetic Random Access Memory)高温エッチング技術の開発(新型不揮発性メモリー)

小風 豊,  小澤 正則,  山本 直志,  菊地 幸男,  松浦 正道,  鄒 紅コウ,  石川 道夫,  山川 洋幸,  

[発表日]2004/3/10
[資料番号]SDM2003-241
MRAM技術の進展と課題(新型不揮発性メモリー)

石綿 延行,  田原 修一,  池川 純夫,  與田 博明,  

[発表日]2004/3/10
[資料番号]SDM2003-242
MRAM技術の展望と東北大におけるITプログラム(新型不揮発性メモリー)

栗野 浩之,  小柳 光正,  大野 英男,  

[発表日]2004/3/10
[資料番号]SDM2003-243
複写される方へ

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[発表日]2004/3/10
[資料番号]
奥付

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[発表日]2004/3/10
[資料番号]