エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2003/10/13)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2003/10/13
[資料番号]
目次

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[発表日]2003/10/13
[資料番号]
[招待論文]多結晶シリコン薄膜トランジスタの電気特性解析とデバイスシミュレーション(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)

木村 睦,  

[発表日]2003/10/13
[資料番号]SDM2003-161
ラジカル酸化によるPoly-Si TFTの高性能化に関する研究(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)

石井 克治,  今泉 文伸,  林 朋彦,  寺本 章伸,  平山 昌樹,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2003/10/13
[資料番号]SDM2003-162
RLSAを用いたラジカル酸化プロセスによる絶縁膜形成 : 低温ラジカル酸化膜の特性評価(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)

北川 淳一,  古井 真悟,  小林 岳志,  尾崎 成則,  

[発表日]2003/10/13
[資料番号]SDM2003-163
RLSAを用いた酸窒化プロセスによる極薄膜ゲート絶縁膜形成(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)

佐藤 吉宏,  松山 征嗣,  西田 辰夫,  中西 敏雄,  尾崎 成則,  

[発表日]2003/10/13
[資料番号]SDM2003-164
シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)

塩路 昌利,  東 和文,  中田 行彦,  高橋 健介,  / 白石 貴義,  吉田 徹史,  野平 博司,  高田 恭孝,  小林 啓介,  辛 埴,  服部 健雄,  

[発表日]2003/10/13
[資料番号]SDM2003-165
酸素ラジカル処理したCVDシリコン酸化膜の高輝度放射光利用X線反射率測定(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)

河瀬 和雅,  井上 真雄,  上原 廉,  梅田 浩司,  黒川 博志,  

[発表日]2003/10/13
[資料番号]SDM2003-166
N_2プラズマを用いたSi基板直接窒化SiNゲート絶縁膜の作製(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)

井上 真雄,  土本 淳一,  大野 吉和,  

[発表日]2003/10/13
[資料番号]SDM2003-167
ラジカル窒化による超高信頼性直接窒化シリコンゲート絶縁膜(<特集>プロセスクリーン化と新プロセス技術)

小村 政則,  樋口 正嗣,  程 イ涛,  大嶋 一郎,  寺本 章伸,  平山 昌樹,  須川 成人,  大見 忠弘,  

[発表日]2003/10/13
[資料番号]SDM2003-168
奥付

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[発表日]2003/10/13
[資料番号]
複写される方へ

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[発表日]2003/10/13
[資料番号]