エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2003/06/23)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2003/6/23
[資料番号]
目次

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[発表日]2003/6/23
[資料番号]
[Invited]サブ50nm CMOS 以降のフロントエンドプロセス技術(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)

綱島 祥隆,  

[発表日]2003/6/23
[資料番号]ED2003-63,SDM2003-74
Junction Leakage Characteristics of Shallow Trench Isolation (STI) with Nitrogen Pile-Up Sidewall Oxide(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)

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[発表日]2003/6/23
[資料番号]ED2003-64,SDM2003-75
Siマイクロエレクトロニクスのための紫外光レーザーアニールによる浅い接合形成(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)

野口 隆,  

[発表日]2003/6/23
[資料番号]ED2003-65,SDM2003-76
Fabrication of low loss transmission line with Surface micromachining technology(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)

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[発表日]2003/6/23
[資料番号]ED2003-66,SDM2003-77
Structural Analyses of Cu[111] Layer on Nb[110] Barrier Formed on SiO_2(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)

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[発表日]2003/6/23
[資料番号]ED2003-67,SDM2003-78
[Invited]High Performance Poly-silicon TFT by Excimer Laser Annealing(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)

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[発表日]2003/6/23
[資料番号]ED2003-68,SDM2003-79
Effects of Self-Aligned Field Induced Drain with Double Spacer on the Characteristics of Pol-Si TFT(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)

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[発表日]2003/6/23
[資料番号]ED2003-69,SDM2003-80
Properties of LiNbO_3 thin films fabricated by CSD (Chemical Solution Decomposition) method(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)

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[発表日]2003/6/23
[資料番号]ED2003-70,SDM2003-81
導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウム薄膜の局所電気伝導評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)

牧原 克典,  岡本 祥裕,  中川 博,  池田 弥央,  村上 秀樹,  宮崎 誠一,  

[発表日]2003/6/23
[資料番号]ED2003-71,SDM2003-82
[Invited]Double-Gate MOSFETs for Nano CMOS Technology : Body-tied Double-Gate MOSFETs(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)

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[発表日]2003/6/23
[資料番号]ED2003-72,SDM2003-83
[Invited]サブ100nm時代におけるSOIデバイスの可能性 : 新しい領域への挑戦(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)

大村 泰久,  

[発表日]2003/6/23
[資料番号]ED2003-73,SDM2003-84
Reverse-Order Source/Drain with Double Offset Spacer (RODOS) for Sub-5Onm Low-Power and High-Speed MOSFET Design(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)

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[発表日]2003/6/23
[資料番号]ED2003-74,SDM2003-85
High-Voltage MOS Devices with High Energy Implanted Buried Layer : Low-Voltage CMOS Process Comparable High-Voltage MOS Devices(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)

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[発表日]2003/6/23
[資料番号]ED2003-75,SDM2003-86
Design of an IC-Card Interface Chipset with 3.3V / 5V DC-DC Converter(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)

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[発表日]2003/6/23
[資料番号]ED2003-76,SDM2003-87
[Invited]InP系HEMTの超高速化技術 : サイドリセス構造最適化および寄生抵抗低減の効果(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)

篠原 啓介,  山下 良美,  遠藤 聡,  渡邊 一世,  彦坂 康己,  三村 高志,  冷水 佐壽,  松井 敏明,  

[発表日]2003/6/23
[資料番号]ED2003-77,SDM2003-88
Optimization Study on the Epitaxial Structures of Over-100-GHz Metamorphic HEMTs for the Millimeter-wave Applications(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)

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[発表日]2003/6/23
[資料番号]ED2003-78,SDM2003-89
Optical Characteristics of InP/InGaAs HBTs(AWAD2003 : Asia-Pacific Workshop on Fundamental and Application of Advanced Semiconductor Devices)

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[発表日]2003/6/23
[資料番号]ED2003-79,SDM2003-90
InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)

深井 佳乃,  杉谷 末広,  榎木 孝知,  北林 博人,  村田 浩一,  牧村 隆司,  山根 康朗,  村口 正弘,  

[発表日]2003/6/23
[資料番号]ED2003-80,SDM2003-91
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