エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2003/06/19)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2003/6/19
[資料番号]
目次

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[発表日]2003/6/19
[資料番号]
電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析 : ゲート絶縁膜劣化機構の微視的評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

世古 明義,  渡辺 行彦,  近藤 博基,  酒井 朗,  財満 鎭明,  安田 幸夫,  

[発表日]2003/6/19
[資料番号]SDM2003-50
Y_2O_3/Si(100)系のエネルギーバンドアライメントの決定(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

大田 晃生,  山岡 真左則,  中川 博,  村上 秀樹,  宮崎 誠一,  

[発表日]2003/6/19
[資料番号]SDM2003-51
HfO_2のMOCVD成膜におけるH_20酸化剤の効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

徳光 永輔,  中山 誠,  日野 史郎,  高橋 健治,  舟窪 浩,  

[発表日]2003/6/19
[資料番号]SDM2003-52
プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

犬宮 誠治,  関根 克行,  丹羽 祥子,  金子 明生,  佐藤 基之,  渡辺 健,  福井 大伸,  鎌田 善己,  小山 正人,  西山 彰,  高柳 万里子,  江口 和弘,  綱島 祥隆,  

[発表日]2003/6/19
[資料番号]SDM2003-53
ZrO_2ゲート絶縁膜のアニール効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

石井 紘之,  中島 安理,  

[発表日]2003/6/19
[資料番号]SDM2003-54
制限反応スパッタ法によるZrO_2薄膜の界面構造とゲート絶縁膜特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

薮内 誠,  河合 賢太郎,  永田 喜也,  佐々木 公洋,  畑 朋延,  

[発表日]2003/6/19
[資料番号]SDM2003-55
ZrO_2/Si(100)系の界面遷移層評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

中川 博,  大田 晃生,  竹野 文人,  長町 学,  村上 秀樹,  宮崎 誠一,  

[発表日]2003/6/19
[資料番号]SDM2003-56
励起活性種を用いた極薄シリコン窒化膜の低温形成と構造解析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

岡本 武士,  今奥 崇夫,  矢野 裕司,  畑山 智亮,  浦岡 行治,  冬木 隆,  

[発表日]2003/6/19
[資料番号]SDM2003-57
AIO_x:N/Si(100)界面の熱的安定性評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

竹野 文人,  中川 博,  大田 晃生,  村上 秀樹,  宮崎 誠一,  

[発表日]2003/6/19
[資料番号]SDM2003-58
Mo仕事関数シフトへの窒素プロファイルの影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

日野 真毅,  天田 高明,  前田 展秀,  芝原 健太郎,  

[発表日]2003/6/19
[資料番号]SDM2003-59
パルスレーザ蒸着(PLD)法による(Ba,Sr)TiO_3薄膜の作製における下部電極について(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

小田 康平,  西山 樹,  衛藤 浩之,  三浦 直人,  荒川 太郎,  羽路 伸夫,  

[発表日]2003/6/19
[資料番号]SDM2003-60
BST電気特性の下部電極依存性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

大和 昌樹,  吉川 公麿,  

[発表日]2003/6/19
[資料番号]SDM2003-61
奥付

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[発表日]2003/6/19
[資料番号]
複写される方へ

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[発表日]2003/6/19
[資料番号]