エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2003/03/11)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]
目次

,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]
[招待論文]4Mbit 混載メモリ用0.18μmFRAMプロセスの開発(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)

堀井 義正,  松浦 克好,  高井 一章,  彦坂 幸信,  小室 玄一,  伊藤 昭男,  倉澤 正樹,  丸山 研二,  恵下 隆,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]SDM2002-264
SBT膜と新構造スタックセルを用いた4Mb FeRAM(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)

林 孝尚,  五十嵐 泰史,  猪股 大介,  一森 高示,  三橋 敏郎,  足利 欣哉,  伊東 敏雄,  吉丸 正樹,  長田 昌也,  御手洗 俊,  後醍院 弘典,  長浜 勉,  磯部 千春,  守屋 博之,  庄子 光治,  伊藤 康幸,  黒田 英明,  佐々木 正義,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]SDM2002-265
低電圧用センスアンプによるFeRAMの開発(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)

遠藤 徹,  伊藤 昭男,  中村 亘,  渡邉 純一,  堀井 義正,  恵下 隆,  川嶋 将一郎,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]SDM2002-266
1T2C型強誘電体メモリにおけるデータディスターブの解析と低減法の提案(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)

金 〓季,  山本 修一郎,  石原 宏,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]SDM2002-267
強誘電体不揮発性ロジック素子(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)

藤森 敬和,  中村 孝,  高須 秀視,  木村 啓明,  羽生 貴弘,  亀山 充隆,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]SDM2002-268
強誘電体ゲートFETを用いたCMFS論理回路の検討(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)

佐藤 陽亮,  羽路 伸夫,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]SDM2002-269
招待論文 Si置換強誘電体酸化物の結晶構造, 物性と強誘電体特性(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)

井手本 康,  小浦 延幸,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]SDM2002-270
減圧仮焼成プロセスを用いたBLT強誘電体薄膜の大幅特性向上(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)

藤崎 芳久,  井関 邦江,  石原 宏,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]SDM2002-271
パルスレーザ蒸着法によるPt上への(Ba,Sr)TiO_3薄膜の多段階成膜(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)

佐藤 公彦,  廣地 竜之,  荒川 太郎,  羽路 伸夫,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]SDM2002-272
原料交互塗布によるチタン酸ビスマス薄膜の特性(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)

山口 正樹,  増田 陽一郎,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]SDM2002-273
1T型強誘電体メモリ用MFIS構造のRTA処理による記憶保持特性の改善(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)

野田 実,  高橋 光恵,  西村 啓二,  奥山 雅則,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]SDM2002-274
超臨界法による強誘電体薄膜の形成(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)

木島 健,  濱田 泰彰,  大橋 幸司,  柄澤 潤一,  名取 栄治,  下田 達也,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]SDM2002-275
MOCVD法によるPb(Zr,Ti)O_3極薄膜のエピタキシャル成長と電気的特性(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)

野々村 哉,  藤沢 浩訓,  清水 勝,  丹生 博彦,  本田 耕一郎,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]SDM2002-276
Flash-MOCVD強誘電体薄膜形成装置の基礎と量産化技術(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)

都田 昌之,  上村 大樹,  高橋 匠,  縄野 真久,  梅田 優,  楠原 昌樹,  矢元 久良,  深川 満,  庄司 正文,  阿久戸 和哉,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]SDM2002-277
強誘電体キャパシタの高温エッチング開発(物性,成膜,加工,プロセス : 強誘電体薄膜とデバイス応用)

遠藤 光広,  植田 昌久,  鄒 紅コウ,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]SDM2002-278
複写される方へ

,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]
奥付

,  

[発表日]2003/3/11
[資料番号]