エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2003/02/03)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2003/2/3
[資料番号]
目次

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[発表日]2003/2/3
[資料番号]
[招待講演]シリコン単電子素子とその応用

内田 建,  棚本 哲史,  古賀 淳二,  大場 竜二,  安田 心一,  藤田 忍,  

[発表日]2003/2/3
[資料番号]SDM2002-244,ED2002-281
量子ドット集積体による反応拡散系

大矢 剛嗣,  上野 友邦,  浅井 哲也,  雨宮 好仁,  

[発表日]2003/2/3
[資料番号]SDM2002-245,ED2002-282
RTDを用いた超高速フラッシュADCの設計

辻 裕樹,  山田 英明,  和保 孝夫,  

[発表日]2003/2/3
[資料番号]SDM2002-246,ED2002-283
化合物半導体ナノ細線ネットワーク制御形二分決定グラフ論理集積回路サブシステムの構築

葛西 誠也,  湯元 美樹,  長谷川 英機,  

[発表日]2003/2/3
[資料番号]SDM2002-247,ED2002-284
[招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用

川浦 久雄,  阪本 利司,  砂村 潤,  馬場 雅和,  佐野 亨,  飯田 一浩,  井口 憲行,  馬場 寿夫,  

[発表日]2003/2/3
[資料番号]SDM2002-248,ED2002-285
MBE選択成長法によるGaAsリッジ量子細線の形成とヘキサゴナル細線ネットワークへの応用

佐藤 威友,  玉井 功,  吉田 崇一,  長谷川 英機,  

[発表日]2003/2/3
[資料番号]SDM2002-249,ED2002-286
ローカルエピタキシー法により形成されたシリコン基板上CdF_2/CaF_2共鳴トンネルダイオード微分負性抵抗特性の構造依存性

渡辺 正裕,  松田 克己,  藤岡 裕智,  金澤 徹,  浅田 雅洋,  

[発表日]2003/2/3
[資料番号]SDM2002-250,ED2002-287
(4×6)Ga安定化面上に形成したSi界面制御層による(001)GaAs表面不活性化

アナンタタナサン サグァン,  長谷川 英機,  

[発表日]2003/2/3
[資料番号]SDM2002-251,ED2002-288
複写される方へ

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[発表日]2003/2/3
[資料番号]
奥付

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[発表日]2003/2/3
[資料番号]