エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2003/01/31)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2003/1/31
[資料番号]
目次

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[発表日]2003/1/31
[資料番号]
MPA (methylpyrrolidine alane)を用いたAl CVD技術

坂本 学,  益 一哉,  杉本 恵理,  李 珍一,  畠中 正信,  高橋 善和,  石川 道夫,  古村 雄二,  

[発表日]2003/1/31
[資料番号]SDM2002-227
SiH_4/Si_2H_6を用いた選択的シリサイド化によるCu配線酸化防止用CoSi層の形成

霜垣 幸浩,  平井 里佳,  野田 優,  小宮山 宏,  

[発表日]2003/1/31
[資料番号]SDM2002-228
配線工程におけるウエハ裏面Cu汚染のデバイス信頼性に与える影響

朴澤 一幸,  由上 二郎,  

[発表日]2003/1/31
[資料番号]SDM2002-229
高抵抗SOI基板上におけるスパイラル・インダクタの寄生抵抗のモデリング

西島 辰司,  清水 由幸,  島 秀樹,  松岡 俊匡,  谷口 研二,  

[発表日]2003/1/31
[資料番号]SDM2002-230
オンチップRF可変インダクタの開発

横山 佳巧,  福重 孝志,  秦 誠一,  益 一哉,  下河辺 明,  

[発表日]2003/1/31
[資料番号]SDM2002-231
ワイヤレス配線におけるSiおよび低誘電率基板の影響

渡邊 慎治,  / 吉川 公麿,  

[発表日]2003/1/31
[資料番号]SDM2002-232
[招待論文]SiP技術の特徴と配線技術融合への期待 : ASET電子SI技術研究とSiP技術

盆子原 學,  

[発表日]2003/1/31
[資料番号]SDM2002-233
[招待論文]ウェーハレベル三次元集積化技術

栗野 浩之,  中村 共則,  小柳 光正,  

[発表日]2003/1/31
[資料番号]SDM2002-234
超臨界流体を利用した配線形成技術

近藤 英一,  

[発表日]2003/1/31
[資料番号]SDM2002-235
バリアメタル上の触媒なし無電解銅めっき技術

新宮原 正三,  王 増林,  八重樫 道,  坂上 弘之,  高萩 隆行,  

[発表日]2003/1/31
[資料番号]SDM2002-236
ナノ粒子積層による低誘電率ポーラスダイヤモンド膜の形成

坂上 弘之,  石川 佐千子,  富本 博之,  新宮原 正三,  高萩 隆行,  

[発表日]2003/1/31
[資料番号]SDM2002-237
エチレン基含有ポーラスシリカ膜の評価

内田 恭敬,  加藤 隆史,  及川 雅砂子,  

[発表日]2003/1/31
[資料番号]SDM2002-238
表面改質エッチング技術を用いた高信頼性Cu/Low-k配線

大竹 浩人,  斎藤 忍,  多田 宗弘,  原田 恵充,  小野寺 貴弘,  林 喜宏,  

[発表日]2003/1/31
[資料番号]SDM2002-239
電界ストレスによるlow-k膜の比誘電率上昇(TDDI)

龍崎 大介,  石田 猛,  古澤 健志,  

[発表日]2003/1/31
[資料番号]SDM2002-240
CMOS LSIにおけるCu配線のストレスボイディング現象 : via直下に出来るストレスボイドと配線レイアウトとの関係

古田 健司,  藤巻 剛,  宮本 浩二,  金子 尚史,  中澤 寛,  森田 正子,  本間 友幸,  

[発表日]2003/1/31
[資料番号]SDM2002-241
Cu配線のストレスマイグレーションによるVia劣化とその対策

大島 隆文,  山口 日出,  青木 英雄,  斎藤 達之,  石川 憲輔,  日野出 憲治,  

[発表日]2003/1/31
[資料番号]SDM2002-242
Ti挿入による太幅銅配線のストレス誘起ボイドの抑制

植木 誠,  廣井 政幸,  五十嵐 信行,  小野寺 貴弘,  古武 直也,  吉木 政行,  林 喜宏,  

[発表日]2003/1/31
[資料番号]SDM2002-243
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[発表日]2003/1/31
[資料番号]
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