エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2002/12/13)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/12/13
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/12/13
[資料番号]
多結晶Si太陽電池用ウエハの正孔密度の温度依存性のインゴット中における場所依存

石田 卓也,  黒田 知宏,  松浦 秀治,  

[発表日]2002/12/13
[資料番号]SDM2002-211
電子線起電流法による薄膜多結晶Si太陽電池の接合評価

山崎 努,  石河 泰明,  浦岡 行治,  冬木 隆,  

[発表日]2002/12/13
[資料番号]SDM2002-212
エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して

河本 直哉,  松屋 直人,  Aziz Fakhrul Anwar Bin Abd,  納田 朋幸,  長谷川 勲,  山野 耕治,  浜田 弘喜,  

[発表日]2002/12/13
[資料番号]SDM2002-213
Aluminum Induced Crystallization法を利用した多結晶Si薄膜の形成と評価

中村 敦,  石河 泰明,  畑山 智亮,  矢野 裕司,  浦岡 行治,  冬木 隆,  

[発表日]2002/12/13
[資料番号]SDM2002-214
低エネルギーホウ素イオン注入におけるホウ素の蓄積・脱離過程のシミュレーション

青木 学聡,  松尾 二郎,  高岡 義寛,  

[発表日]2002/12/13
[資料番号]SDM2002-215
有機液体原料を用いたリモートプラズマCVD法による低炭素濃度シリコン窒化膜の堆積

田口 貢士,  吉本 昌広,  更家 淳司,  

[発表日]2002/12/13
[資料番号]SDM2002-216
プラズマ酸化法を用いた高品質シリコン酸化膜の形成

孫 雲華,  木本 恒暢,  松波 弘之,  

[発表日]2002/12/13
[資料番号]SDM2002-217
反応性DC-スパッタリング法により作製されたHfO_2薄膜の界面特性の評価 : 界面シリケート層の形成とHfO_2薄膜中トラップの関係の考察

野崎 洋,  林 重徳,  山尾 正之,  河本 直哉,  松尾 直人,  丹羽 正昭,  

[発表日]2002/12/13
[資料番号]SDM2002-218
High-k PrOχゲート絶縁膜の電気的・光学的特性

金島 岳,  寒川 雅之,  池田 幸司,  神田 浩文,  奥山 雅則,  

[発表日]2002/12/13
[資料番号]SDM2002-219
MFMIS-FET不揮発性メモリ用強誘電体薄膜の成膜と評価

中尾 良昭,  関本 安泰,  松浦 秀治,  

[発表日]2002/12/13
[資料番号]SDM2002-220
原料交互供給法によるチタン酸ビスマス薄膜の作成

山口 正樹,  増田 陽一郎,  

[発表日]2002/12/13
[資料番号]SDM2002-221
傾角注入によるSbエクステンション-ゲート間のオーバーラップ制御

前田 展秀,  鬼松 大,  石川 宜識,  芝原 健太郎,  

[発表日]2002/12/13
[資料番号]SDM2002-222
重イオン注入を用いたSuper Steep Retrogradeチャネル形成によるMOSFETしきい値揺らぎの低減

芝原 健太郎,  野津 大輔,  鬼松 大,  川上 信之,  

[発表日]2002/12/13
[資料番号]SDM2002-223
浅くドープしたエクステンションをもつnチャネル・ショットキーソース/ドレインSOI-MOSFET

松本 珠美江,  西坂 美香,  浅野 種正,  

[発表日]2002/12/13
[資料番号]SDM2002-224
チャネル両端に極薄誘電体膜を持つ新たなTFTの提案と理論検討

木原 洋幸,  山本 暁徳,  中村 健二,  松尾 直人,  

[発表日]2002/12/13
[資料番号]SDM2002-225
4端子Si MOSFETの横方向磁界による磁気抵抗効果の光強度依存性 : 光照射および磁界印加による4端子MOSFETの動作特性

井上 慎也,  松永 宏治,  大鉢 忠,  谷口 一郎,  

[発表日]2002/12/13
[資料番号]SDM2002-226
[OTHERS]

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[発表日]2002/12/13
[資料番号]