エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2002/10/22)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/10/22
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/10/22
[資料番号]
フルオロカーボンプラズマのSiO_2表面における反応ダイナミクスに関する計算化学的検討

篠田 克己,  横須賀 俊之,  遠藤 明,  久保 百司,  今村 詮,  新村 忠,  加納 正明,  宮本 明,  

[発表日]2002/10/22
[資料番号]SDM2002-196
高速化量子分子動力学法によるCu-CMPプロセスの解析

横須賀 俊之,  磯田 直征,  篠田 克己,  草谷 友規,  三浦 隆治,  遠藤 明,  久保 百司,  今村 詮,  宮本 明,  

[発表日]2002/10/22
[資料番号]SDM2002-197
高誘電体酸化物 / シリコン界面の創りこみ技術

平谷 正彦,  鳥居 和功,  嶋本 泰洋,  斉藤 慎一,  由上 二郎,  

[発表日]2002/10/22
[資料番号]SDM2002-198
強誘電体ゲートトランジスタ用SBT系材料の形成と評価

徳光 永輔,  貴志 真士,  

[発表日]2002/10/22
[資料番号]SDM2002-199
半導体材料の電気伝導度に関する計算化学的検討

横須賀 俊之,  磯田 直征,  篠田 克己,  草谷 友規,  三浦 隆治,  遠藤 明,  久保 百司,  今村 詮,  藪原 秀彦,  牧野 伸顕,  宮本 明,  

[発表日]2002/10/22
[資料番号]SDM2002-200
高速化量子分子動力学法によるSiGeのバンド構造解析

横須賀 俊之,  磯田 直征,  篠田 克己,  草谷 友規,  三浦 隆治,  遠藤 明,  久保 百司,  今村 詮,  藪原 秀彦,  加納 正明,  宮本 明,  

[発表日]2002/10/22
[資料番号]SDM2002-201
段階投資型半導体製造施設の研究

山崎 喜郎,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2002/10/22
[資料番号]SDM2002-202
日本の半導体研究開発戦略の現状と今後

佐伯 俊則,  

[発表日]2002/10/22
[資料番号]SDM2002-203
産業構造の変化とわが国半導体産業の展望

中島 一郎,  

[発表日]2002/10/22
[資料番号]SDM2002-204
[OTHERS]

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[発表日]2002/10/22
[資料番号]