エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2002/10/21)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/10/21
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/10/21
[資料番号]
[CATALOG]

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[発表日]2002/10/21
[資料番号]
半導体製造プロセスにおけるCu汚染によるデバイス信頼性劣化とそのメカニズム

朴澤 一幸,  由上 二郎,  

[発表日]2002/10/21
[資料番号]SDM2002-188
非酸化性雰囲気昇温されたH終端Si表面状態のXPSによる評価

河瀬 和雅,  若尾 和年,  谷村 純二,  井上 真雄,  梅田 浩司,  黒川 博志,  

[発表日]2002/10/21
[資料番号]SDM2002-189
ラジカル窒化によるゲート絶縁膜形成プロセスの検討

井上 真雄,  丸山 祥輝,  河瀬 和雅,  梅田 浩司,  大野 吉和,  

[発表日]2002/10/21
[資料番号]SDM2002-190
プラズマ酸化、酸窒化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響

樋口 正顕,  諏訪 智之,  大嶋 一郎,  程? 涛,  寺本 章伸,  平山 昌樹,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2002/10/21
[資料番号]SDM2002-191
真空紫外光を用いた極薄界面酸化膜、酸窒化膜の形成

青山 真太郎,  井下田 真信,  神力 博,  

[発表日]2002/10/21
[資料番号]SDM2002-192
シリコン(100)面の原子オーダー平坦化におけるl/fノイズ低減効果

田中 康太郎,  渡辺 一史,  石野 英明,  須川 成利,  寺本 章伸,  平山 昌樹,  大見 忠弘,  

[発表日]2002/10/21
[資料番号]SDM2002-193
(110)シリコン基板上に形成した極薄酸化膜CMOSの電気的特性

百瀬 寿代,  大黒 達也,  小島 健嗣,  中村 新一,  豊島 義明,  

[発表日]2002/10/21
[資料番号]SDM2002-194
超臨界流体による低誘電率絶縁膜の改質効果 : Ash/Cleanプロセスによる膜ダメージの更正技術

松岡 孝明,  Toma Dorel,  

[発表日]2002/10/21
[資料番号]SDM2002-195
[OTHERS]

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[発表日]2002/10/21
[資料番号]