エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2002/09/23)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2002/9/23
[資料番号]
目次

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[発表日]2002/9/23
[資料番号]
3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100mm世代eSRAMのスケーリングの検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

塚本 康正,  国清 辰也,  新居 浩二,  牧野 博之,  岩出 秀平,  石川 清志,  井上 靖朗,  

[発表日]2002/9/23
[資料番号]SDM2002-169
微細MOSトランジスタの逆狭チャネル効果の解析 : 高誘電体ゲート絶縁膜の影響(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

若原 祥史,  大倉 康幸,  天川 博隆,  西 謙二,  

[発表日]2002/9/23
[資料番号]SDM2002-170
極微細SOI MOSFETにおけるソース・ドレイン設計法の検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

河本 章宏,  佐藤 伸吾,  大村 泰久,  

[発表日]2002/9/23
[資料番号]SDM2002-171
TCADによる完全空乏型SOIトランジスタ設計(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

三浦 規之,  小松原 弘毅,  望月 麻理恵,  林 洋一,  福田 浩一,  

[発表日]2002/9/23
[資料番号]SDM2002-172
統計的解析によるPoly-Si TFTの結晶粒界の影響の評価(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

北原 義之,  高木 茂行,  鳥山 周一,  佐野 伸行,  

[発表日]2002/9/23
[資料番号]SDM2002-173
準バリスティックMOSFETの電子散乱効果(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

和田 尚也,  名取 研二,  

[発表日]2002/9/23
[資料番号]SDM2002-174
MD/EMC法による反転層移動度のロールオフ現象の解析(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

領家 弘典,  鎌倉 良成,  谷口 研二,  

[発表日]2002/9/23
[資料番号]SDM2002-175
モンテカルロシミュレーションにおける量子力学的補正(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

土屋 英昭,  三好 旦六,  

[発表日]2002/9/23
[資料番号]SDM2002-176
輸送現象における電子波のコヒーレンスの効果 : 量子輸送現象の記述のための基底関数について(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

森藤 正人,  加藤 克彦,  

[発表日]2002/9/23
[資料番号]SDM2002-177
量子格子気体法によるデバイス内部の電子波伝搬解析(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

酒井 敦,  鎌倉 良成,  谷口 研二,  

[発表日]2002/9/23
[資料番号]SDM2002-178
[OTHERS]

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[発表日]2002/9/23
[資料番号]